主题：【原创】中国当代物理学家

王启明          1956年毕业於复旦大学物理系。至今先后在中科院物理研究所、半导体研究所从事科研工作。1985~1995曾任中科院半导体研究所所长，先后多次获国家级和院级科技进步一、二等奖。1986年始曾连续三次被评授予国家级有突出贡献中青年专家称号，1999年荣获何梁何利基金“科学与技术进步奖”，2001年被中国光学学会、电子学会和通信学会联合提名获我国光通信与集成光学杰出贡献奖。培养了50多名硕士和博士研究生。现兼职中国光学学会常务理事，并受聘为厦门大学、浙江大学、中国科技大学、北京工业大学等多所兼职教授。 目前主要从事半导体光电子器件物理、光子集成及其在光网络通信中的应用，尤其关注Si基光子器件和Si基光电子集成的发展。 先后取得的代表性主要科研与学术成绩如下： 1. 主持研制成功我国第一台CW运作10万小时的GaAs DH激光器，发现了双光丝自调Q效应，异质结界面电荷存储记忆效应和双向负阻效应。 2. 国际同步开展了双稳态(CCTS)半导体激光器研究，提出增益锁定的概念和相关注入的技术，获得了ps窄脉冲序列的光输出，实现了波长变换与锁定，指导研究了SEED光双稳态开关。 3. 主持开展了SiGe/Si 量子阱、量子点的生长与应用研究。首次采用共振腔增强（RCE）结构研究成功可用於光通信1.3 m波长窄带响应光电子探测器，成功生长了Ge/Si量子点相干阵列，发现了自覆盖效应。 4. 指导开展了Si基MOEMS和F-P腔TO型可调谐光学滤波器，获得了可连续调谐90 nm范围的最好结果。 近期完成和在研的主要项目： 1. 国家自然科学基金重大项目：“半导体光子集成基础研究”（1998－2002） 2. 国家重大基础研究规划(973)项目：“支撑高速、大容量信息网络光子集成基础研究”(2001－2005) 3. 国家自然科学基金委重大基础研究计划项目“光网络及其节点功能研究”(2001-2006) 

王晓亮  研究员，博士生导师；中科院研究生院教授；西安交通大学兼职教授；中国材料研究学会青年委员会理事；全国专业标准化技术委员会委员。现在中科院半导体所材料中心新材料部负责氮化镓（GaN）课题组工作，承担多项国家科研项目，主要从事高温大功率氮化镓系材料的MBE和MOCVD生长、物理及器件制备研究。实验室主要设备包括从美国EMCORE公司引进的MOCVD氮化物生长设备和国产IV型MBE设备。最近与中国科学院微电子中心合作，用自己研制的材料研制出了具有国内领先水平的AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管（HEMT），单管器件的非本征跨导为198 mS/mm，最大漏极电流密度为1A/mm；多指功率器件（1.6mm）的最大漏极电流密度达到1.54A。 在“九五”期间作为主要研究人员之一，率先研制成功了压电极化效应诱导的高质量AlGaN/GaN二维电子气结构材料，并用所研制的材料与十三所合作研制出了我国第一只氮化物高温HEMT器件，该成果已通过中科院组织的鉴定[中科院鉴字（2000）第060号]。在“八五”期间，作为主要研究骨干参加过国家“八五”期间攻关任务（HEMT用IC材料）、“八六三”任务（AlGaInP可见光激光器材料）的研究工作，研究成功了达国际先进水平的InGaAs/InP应变量子阱结构材料，并在国内用GSMBE方法首次研制成功红光AlGaInP/GaAs应变量子阱超辐射发光二极管。多年来还从事过低维半导体材料生长及性质研究、MOCVD生长GaAs/AlGaAs光电阴极、GaAs/AlGaAs HBT等研究工作。具有博士后研究经历并曾应邀赴香港大学和香港科技大学开展合作研究、赴美国进行研发考察。从九十年代至今在国内外几种主要学术刊物上发表研究论文四十余篇。主要研究领域为：III-V族化合物半导体异质结构材料的分子束（MBE）和MOCVD外延生长、物理及器件应用研究。目前主要研究方向为：高温大功率氮化镓（GaN）系材料的MBE和MOCVD生长、物理及器件制备研究。现招收博士和硕士研究生。完成/在研主要项目 1. 自然科学基金重点项目：“GaN基宽隙半导体微电子器件的基础研究”（2002-2005） 2. “973”子课题：“高温微电子器件用GaN系外延材料研究”（2001-2005） 3. 还有其它有关氮化物材料和器件的在研项目四项 (2002-2005)。

夏建白    1950-1956年就读上海市西中学。1965年北京大学物理系研究生毕业，留校物理系任教。1970年起在西南物理研究院从事等离子体物理研究。1978年起到中国科学院半导体研究所从事半导体和凝聚态物理等领域的研究。从1987年起集中于半导体超晶格理论研究，在发展半导体超晶格、微结构电子态理论方面作出了创造性的贡献，在国际多种核心刊物上发表科学论文100多篇。其中包括：1、国际上首先提出了量子球空穴态的张量模型，得到了正确的光跃迁选择定则；2、国际上首次提出了介观系统的一维量子波导理论，得到了一维介观系统中波函数的两个基本方程，类似于电路的克希霍夫定律；3、国际上首先提出了（11N）衬底超晶格的有效质量理论；4、国际上首先从理论上研究了空穴共振隧穿现象，发现了在隧穿过程中轻、重空穴互相转化的结果；5、国际上首次提出了计算超晶格电子结构的有限平面波展开方法，利用赝势理论研究了长周期超晶格的电子结构，解决了平面波方法不能用于计算大元胞晶体电子态的困难。曾获得1989年中国科学院自然科学一等奖，1993年国家自然科学二等奖，1998年中国科学院自然科学一等奖，2004年国家自然科学二等奖，2005年何梁何利基金科学与技术进步奖。专著《半导体超晶格物理》获1998年全国优秀科技图书一等奖，国家图书提名奖。《现代半导体物理》获2001年全国优秀科技图书三等奖。 主要研究领域：半导体理论，包括：半导体微结构电子态、磁性半导体和自旋电子学、量子相干态的产生、输运和弛豫效应等。承担课题： 1、 973国家重点基础研究项目：IT前沿中的固态量子结构 2、 国家自然科学基金创新团队：半导体低维结构中的量子调控 3、 国家自然科学基金重点项目：材料尺寸效应及其相关物理问题 4、 国家自然科学基金面上项目：半导体的自旋电子学

张兴旺 博士，研究员，博士生导师。分别于1994和1999年从兰州大学获理学学士和博士学位。1999年8月至 2001年2月在香港中文大学电子工程系进行博士后研究，2001年至2004年任德国乌尔姆大学固体物理系博士后及洪堡研究员，于2004年加入中国科学院半导体研究所，并入选2004年度中国科学院"百人计划"。目前主要从事宽带隙半导体薄膜材料，半导体有序纳米结构材料和稀磁半导体材料的制备及特性研究。 取得的主要学术成绩：利用双离子束辅助沉积技术，首次成功制备出异质外延生长的立方氮化硼（c-BN）薄膜，这一突破性进展为实现c-BN薄膜作为高温电子材料奠定了基础，得到国际同行科学家的高度评价。在异质外延c-BN薄膜的成核和生长机理，离子辐射损伤，以及c-BN薄膜过渡层等方面都有新的发现和创新。采用两步沉积法，在射频溅射系统中成功制备出高立方相含量低应力c-BN薄膜，并系统研究了其电学和光学性质。发现用金属气相真空弧离子注入技术制备的NiSi2薄膜呈现出奇特的电学输运性质，提出了一个两载流子模型，与实验结果符合得很好。采用磁过滤脉冲真空弧沉积系统制备出氮化的四面体非晶碳（ta-C:N）薄膜，那些ta-C:N薄膜表现出良好的光学及场电子发射特性。迄今在国内外著名杂志发表学术论文50余篇，作为主要参加人的科研成果获北京市科技进步二等奖一次。现招收博士和硕士研究生。在研主要项目：百人计划项目："立方氮化硼薄膜与有序排列半导体纳米结构" (2005－2008)

朱勤生          一九七八年毕业于南京工学院，后考入南京大学物理系攻读硕士研究生。经选拔，于一九八三年赴日本名古屋大学学习，一九八六年获硕士学位，一九八九年获博士学位。现任职于中国科学院半导体研究所。在日本期间，主要从事III-V族混晶半导体材料InGaAsP的物理特性研究。一九九一年回国后，在中国科学院半导体研究所工作至今。回国期间，主要从事半导体低维结构的深能级研究以及GaAs/AlGaAs多量子阱的红外吸收物理特性的研究。首次观察到在该结构中有电子的等离子体振荡信号，并提出利用这一振荡制作红外光垂直入射光吸收器件以用于民用摄像仪的探测系统。现在正从事GaN材料及其低维结构的物理特性研究。在研究III族氮化物的体材料中，主要在理论上和实验上研究了点缺陷对载流子散射以及GaN膜的深能级特性以及光学特性。在低维结构中，主要研究了1)线缺陷对两维电子气的散射； 2)用低温钝化法制作的InGaN量子点的结构、光学和电学特性。现在正在进行的工作是：InGaN/GaN和 GaN/AlGaN多量子阱的红外吸收特性的研究。自从从事半导体材料的物理特性的研究以来，共发表论文30余篇，其中10篇发表在国际一流刊物上。完成/在研主要项目 1. “973”课题项目“信息功能材料相关基础问题”的子课题“低维结构材料物理和GaN物理特性研究（2001-2005） 2. 国家自然基金“高探测率垂直入射GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器“ （1997-1999） 3. 北京市自然科学基金“新型垂直入射GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器的研制” （1996.8-1999.7）

陈良惠 1963年毕业于复旦大学，同年到中国科学院半导体所工作至今。他在国内率先实现量子阱激光器的突破，并开拓不同波长，不同功率，不同应用目标的量子阱激光器的研制、开发与工程化。在国内外发表文章100多篇。他承担并出色完成中科院重大项目，国家攻关、863、自然科学基金和jg任务，获国家科技进步奖和中国科学院科技进步奖多项。他主持筹建光电子器件国家工程研究中心，通过国家验收成为光电子器件的研究开发和工程化产业化基地。他曾任半导体研究所副所长，863计划光电子主题专家组副组长。现任半导体所研究员、博士生导师、光电子器件国家工程研究中心主任，1999年当选为中国工程院院士。　　他目前在光电子领域的专业兴趣在于新型量子阱光电子器件及其在光通讯、光存储、光显示和激光医疗等方面的应用。 

姬扬 博士，研究员，博士生导师。1992年毕业于中国科学技术大学物理系，获得学士学位。之后从事用于激光光束变换的二元光学系统的研究工作。1995年毕业于中国科学技术大学物理系光学专业，获得硕士学位。1995年至1998年，在中国科学院半导体研究所凝聚态物理专业学习，利用电流隧穿谱和稳态光谱研究磁场下半导体量子阱中电子子带间弛豫过程，特别是有声学声子和光学声子参与的电子跃迁过程。1998年获得理学博士学位。而后，在以色列魏兹曼研究所凝聚态物理系以博士后研究人员的身份工作了四年，通过测量电子在极低温度下的输运性质来研究凝聚态物理中的一些基本的物理现象和物理规律，特别是固体中电子自旋对电子输运过程的影响以及电子的波动和粒子特性。我们利用电子双缝干涉仪来研究电子被复杂系统散射的量子过程，利用灵敏探针来测量微小体系中的电荷分布，还研制了一种可以工作在强磁场下的新型电子干涉仪，为进一步研究高磁场下固体中电子的波动性质打下了基础。此外，还利用散粒噪声的测量技术来研究凝聚态物理学中的一些奇异现象，比如说分数统计等。2002年，得到中国科学院"百人计划"的资助，开始在中国科学院半导体研究所超晶格和微结构国家重点实验室工作，从事半导体低维结构中电子的自旋相干过程的研究。

李新奇博士，研究员，博士生导师。1995年中科院理论物理所获博士学位, 之后, 相继到比利时Antwerp大学、日本东京大学、香港科技大学做博士后研究。2001年应聘入选“百人计划”到中科院半导体所工作。研究课题涉及量子耗散、量子输运、量子点物理、量子计算以及分子电子学等前沿领域, 已在国际物理学核心刊物发表论文近40篇.近期研究兴趣主要集中在量子计算与量子信息的物理实现，特别是寻求在量子点、半导体微腔以及其它可能的固态系统中，利用电荷自由度或自旋自由度，实现量子态的相干操作以及一些重要的量子信息过程，并详细分析其中因耗散、关联、操作误差以及量子测量引起的大量物理问题。 取得的主要研究成果：（1）在共振隧穿系统中，用闭路格林函数理论研究了电磁环境效应、ac响应以及库仑阻塞，cotunneling等问题。（2）在mesoscopic Hall bar系统中研究了非均匀弱磁场下的输运性质。该项研究奠定了用mesoscopic Hall bar系统做非破坏弱磁测量的基础。（3）在量子点物理方面，利用晶格驰豫理论，研究了量子点中光跃迁谱线的homogeneous展宽。定量计算了线宽的温度和尺寸效应, 并提出与实验相符的描述公式。此外, 还系统研究了与量子点作为光电器件密切相关的热载流子能量驰豫问题，从多方面考察了phonon bottleneck问题。（4）将介观物理中的Buttiker理论应用于分子系统中的电荷转移与输运问题，引入的electronic dephasing效应对著名的Marcus理论做了有意义的改进。新的理论框架在DNA电荷转移与输运现象中得到了很好的检验。（5）设计了基于量子点的量子计算方案, 研究了非绝热几何量子计算与量子操作, 以及固态量子比特的量子测量问题. 完成/在研主要项目 1. "百人计划"项目: "固态量子计算及相关物理研究" (2001-2004). 2. 国家重大基础研究项目（973）：“IT前沿中的固态量子结构、量子器件及其集成技术”(2002-2007). (参与其中的子课题“固态量子电路"). 3. 国家自然科学基金项目: “复杂分子体系量子动力学理论研究”(2003-2005).

刘祥林 博士，研究员，博士生导师，于1990年在中国科学技术大学物理系获得学士，1998年在中国科学院半导体研究所获博士学位。目前主要从事GaN材料和器件的研究，以及MOCVD设备的研制。取得的主要学术成绩：九五"期间，以主要技术骨干的身份全面参加了“863”重大项目“LED外延材料”的研究，已经研制出可实用化的蓝光和绿光LED样品，该技术折价1000万元人民币。除此以外，还研制出适合GaN基材料和器件生长的研究型MOCVD设备。 在研主要项目 1. “八六三”项目：“用于GaN的生产型MOCVD设备和虚拟仿真系统”，（2002－2005）批准经费402万元； 2. “九七三”项目：“宽带隙异质结构材料生长及电学、光学特性剪裁”，（2000－2004），本组批准经费92.7万元； 3. 自然科学重点基金项目：“GaN基宽带隙半导体微电子器件的基础研究”，（2002－2004），本组批准经费30万元。

王守觉    1949年同济大学毕业。任职北京研究院镭学所，1953年任一机部二院主任设计师，1955年当选为上海市劳模、全国先进工作者，1956年调到半导体研究所前身--物理所半导体研究室，成为我国半导体事业奠基人之一，1980年当选中国科学院院士。1956年参加研制了我国第一支锗晶体管。1958年负责研制成我国第一支数百兆赫的锗高频扩散晶体管，并筹建109厂为"两弹一星"计算需要的109乙机和109丙机提供了器件。1963年研制成我国最早的硅平面型晶体管和固体电路，获国家科委一等奖与国家发明奖。1971年研制成我国首台积木式图形发生器，并提出了IC CAD布线新算法--总体损益分析法，该自动制版系统获科学大会奖。1978年在国际上最早发明了一种集成模糊逻辑电路，依此研制成高速D/A转换器，使我国所需8位高速D/A转换器速度提高了20倍，获国家发明三等奖及中科院一、二等奖共五项。1995年首创了网络模型灵活可变的小型神经计算机，被评为'95电子十大科技成果之一、国家"八五"科技攻关重大科技成果。首创了多变量控制生产的神经网络优化系统，应用于中国华晶电子集团公司某产品的完整的工业生产控制优化问题中，使成品率相对提高了11.2%，为大工业生产的控制优化开辟了新的途径。神经网络理论上提出了系列新模型新算法，付之实现后使相同的实物目标识别系统训练时间大大缩短，识别率大大提高。现主要从事半导体神经网络、模型、算法和应用的研究。兼任中国电子学会副理事长，计算机学会多值与模糊逻辑专委名誉主任，CAD与图形学专委名誉主任。