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主题：【原创】中国当代物理学家

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德厚志远

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2010/1/26 19:02:17 251楼管理分享倒序浏览只看楼主回复私聊

王占国 1962年毕业于南开大学物理系。长期从事半导体材料和半导体材料物理研究。其中，人造卫星用硅太阳电池辐照效应和电子材料、器件和组件的静态、动态和核瞬态辐照实验结果，为我国的两弹一星事业发展作出了贡献。在半导体深能级物理和光谱物理研究方面取得了多项国际先进水平的成果。与人合作，首次在太空从熔体中生长了GaAs单晶并对其性质作了系统研究，生长了具有国际先进水平的电子迁移率(4.8K)高达百万的二维电子气（2DEG）材料和高速、超高速器件结构材料。近年来，他领导的实验组又在应变自组装In(Ga)As/GaAs，In(Ga)As/InAlAs/InP等量子点（线）材料和量子点（线）超晶格结构材料生长、性质和量子器件研制方面获得重要进展。上述成果，先后获国家自然科学二等奖和国家科技进步三等奖, 中国科学院自然科学一等奖和中国科学院科技进步一, 二和三等奖，何梁何利科学与技术进步奖以及国家重点科技攻关奖多项；在国外学术刊物发表论文180多篇，培养博士、硕士和博士后数十名。完成/在研主要项目 1. 国家重点基础研究发展规划（973）项目“信息功能材料相关基础问题”首席科学家，2000年10月～2005年9月 2. 国家重点基础研究发展规划（973）项目“信息功能材料相关基础问题”03课题“应变自组装量子线、量子点材料”课题负责人，2000年10月～2005年9月 3. 中国科学院知识创新重大项目“纳米科学与技术”课题“半导体纳米结构材料、器件和物理研究”课题负责人，2001年6月～2003年10月 4. 中国科学院“十五”基础性研究重大项目“百瓦级连续波光纤耦合模块”委托课题，课题负责人，2001年2月～2004年1月

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2010/1/26 19:03:24 252楼管理分享倒序浏览只看楼主回复私聊

杨辉 1982年于北京大学电子学系获学士学位，并考入中国科学院半导体所研究生，1985年获硕士学位，1992年获博士学位，1993-1996年在德国柏林Paul-Drude-Institute for Solid state electronics 做博士后和客座研究员。现任中国科学院半导体所副所长，研究员，北京邮电大学客座教授，Honorary Professor of The University of Hong Kong, 国家863计划光电子主题专家组成员，曾获国家杰出青年基金。主要从事III-V族化合物半导体的材料生长，物理分析，以及器件研究。目前成功的研制出世界上第一只立方相GaN蓝色发光二极管器件(Hui Yang et at., Appl. Phys. Lett., 74, 2498, 1999)。Laser Focus World 杂志1999年第六期曾在Newsbreaks栏目攥文报道该结果。半导体蓝色发光器件具有广泛的应用前景，如全色大屏幕显示，新型高效节能固体冷光源，下一代DVD的核心光头等。该研究领域是目前国际上的热点。近5年来在国际著名期刊发表40多篇论文，提出了立方相GaN材料生长的外延异质成核模型，首次发现立方相GaN的三种表面再构并提出相应表面原子再构模型，提出了新型高效P-型掺杂的反应原子共掺杂原理。1992年曾在国内首次用MOCVD技术生长出高质量GaAs/AlGaAs量子阱材料及低域值激光器，使当时国内MOCVD材料生长技术和量子阱激光器研制水平同时都上了一个台阶，达到当时的国际水平。曾两次获中国科学院科学技术进步二等奖。

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2010/1/26 19:04:35 253楼管理分享倒序浏览只看楼主回复私聊

赵建华于1985年、1988年在吉林大学获学士、硕士学位，1999年在中科院物理所获博士学位。1988年至1996年在燕山大学任教。2000年在中科院半导体所博士后出站后进入日本东北大学电气通信研究所 Hideo Ohno 实验室工作。2002年底回到中科院半导体所超晶格国家重点实验室。取得的主要学术成绩：曾从事过金属多层膜质量输运过程、非晶合金形成规律和半导体量子微腔物理等项目的研究。在日本期间，主要进行半导体自旋电子学方面的研究工作，具体从事Mn掺杂的III-V族磁性半导体、半金属磁性材料zb-CrSb及其异质结构的生长和磁、电、光学性质研究，取得了多项重要的前沿性成果。作为主要参加人的科研成果获国家技术发明二等奖；国家机械工业局科学技术进步一等奖；国家教育部科学进步二等奖等。迄今在国内外著名刊物上发表论文40余篇。近期的主要研究方向为磁性半导体、半金属及其异质结构的分子束外延生长制备；磁性半导体、半金属自旋相关现象的物理与应用研究等。完成/在研主要项目： 1. 国家自然科学基金重点项目："磁性半导体、半金属及其异质结构的生长制备和自旋相关现象的研究"　（2004-2008） 2. "973"项目："半导体中的自旋过程和自旋量子器件" (2002-2007) 3. 留学回国人员科研启动基金："半导体自旋电子学"　　（2004） 4. 科学院设备改造专项经费："时间分辨Faraday旋转谱仪" (2002-2003)

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2010/1/26 20:10:26 254楼管理分享倒序浏览只看楼主回复私聊

陈诺夫博士，研究员，博士生导师，分别于1982年和1986年在河北工业大学取得学士和硕士学位，于1997年在中科院半导体所获得博士学位。分别于1992-1996年和1996-1998年任河北工业大学副教授和教授，1998年起任中科院半导体所研究员。目前主要从事化合物半导体材料、磁性半导体材料，以及微重力环境半导体材料的制备及性质研究。取得的主要学术成绩：研制成功具有室温铁磁性的稀磁半导体GaMnSb和GaMnN薄膜；创建了非破坏性定量检测砷化镓单晶化学配比的方法，及显示砷化镓单晶缺陷的超声腐蚀方法；系统研究了半绝缘砷化镓单晶的化学配比与生长工艺之间的关系，为改善砷化镓单晶的化学配比，提高单晶质量提供了可靠依据；对太空生长的半绝缘砷化镓单晶进行了材料性能研究，及微波器件应用研究；揭示了砷化镓单晶化学配比对单晶均匀性、完整性、生长重复性和应用通用性的重要影响。完成/在研主要项目 1. “973”项目：系统芯片中新器件新工艺的基础研究，子项目：新型栅结构材料相关问题研究（2000-2004）。 2. “973”项目：新一代化合物半导体电子器件与电路研究，子项目：新型低维结构功能器件和三端逻辑功能器件（2002-2006）。 3. 中科院创新项目：微重力环境半导体材料生长（2003-2005）。 4. 自然科学基金项目：稀磁半导体(Ga, Mn)As研究（2002-2004）。

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2010/1/26 20:10:54 255楼管理分享倒序浏览只看楼主回复私聊

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2010/1/26 20:11:32 256楼管理分享倒序浏览只看楼主回复私聊

李晋闽博士，研究员，博士生导师，于1982年在西安交通大学获得电子工程系半导体物理与器件专业工学学士学位，于1984年在信息产业部电子第十三研究所获得半导体材料与器件物理专业工学硕士学位，于1991年在中科院西安光学精密机械研究所获得光学专业理学博士学位。1991～1993年：在半导体研究所作博士后研究工作，从事GaAs材料的生长及器件研究，在III-V GaAs红外量子阱探测器方面做出了较有影响的研究工作；1993～1995年：在半导体研究所从事新型半导体材料的研究工作；1995～2002年，任半导体研究所材料中心主任，所长助理，所学术委员会委员，从事新型半导体材料研究工作，主持并完成了国家"九五"重大科技攻关项目"北方微电子基地"的"国家新型半导体材料研究基地建设"以及"新型半导体材料"项目，包括：亚微米、深亚微米CMOS电路用薄层外延Si材料项目；双异质SOI材料项目；高温MESFET用GaN外延材料；高温功率器件用MBE SiC材料；1999.10～2002.01：访美学者。1999～至今：半导体研究所创新工程重大项目"半导体功能材料"负责人。在科研、科研管理的同时，积极探索科研成果转化为生产力的途径，积极寻求社会资本，参与组建了北京中科镓英半导体有限责任公司，致力于化合物半导体单晶材料和外延材料的开发生产。

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梁骏吾中国工程院院士。1955年毕业于武汉大学，1960年在苏联科学院冶金研究所获材料科学副博士学位。他是中国科学院半导体研究所研究员，多年来从事半导体材料研究工作。其主要研究涵盖半导体材料诸多方面：包括硅、硅锗材料、碳化硅和氮化镓基材料的生长和表征。他也是中国电子学会电子材料分会主任委员。

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2010/1/26 20:12:34 258楼管理分享倒序浏览只看楼主回复私聊

孙宝权博士，研究员，博士生导师。分别于1984年和1989年在吉林大学取得学士和硕士学位，于1997年在中科院半导体所获得博士学位。主要从事实验物理研究，从事过GaAs/AlAs超晶格中电场畴的输运研究，InAs 量子点光学特性研究，GaAsN/GaAs发光机理研究和由参数下转换产生的光子纠缠态研究。发表论文40余篇。目前从事半导体中电子的自旋动力学研究，量子点非经典光辐射场研究和半导体低微量子结构中的相干过程和控制研究。在研项目： 1． 973国家重点基础研究项目子课题"半导体中的自旋过程和自旋量子器件"（2002－2007） 2．自然科学基金项目"微腔中量子点非经典光辐射场研究"（2005－2007）

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2010/1/26 20:13:07 259楼管理分享倒序浏览只看楼主回复私聊

王圩研究员、博士生导师。1960年毕业于北京大学物理系，1988年被授予“国家有突出贡献中青年专家”称号，1997年当选为中科院院士。近期主要从事InP基半导体光电子集成器件的研究。近十年来在应变量子阱激光器、电吸收调制器及其集成以及半导体光放大器等方面取得的主要成绩：在国内首先研制成功应变量子阱1.55微米DFB激光器；随后，指导研究生采用周期埋岛结构，实现了新型反相位增益耦合量子阱DFB激光器、采用SAG技术，研制成功2.5Gb/s EA-MD/DFB-LD 单片集成模块，并成功地在400公里标准光纤上进行了2.5Gb/s码率的传输、采用应变渐变结构研制成功偏振不灵敏的宽带1550nm波段半导体光放大器以及电吸收调制器和模斑转换器单片集成器件等。所负责的研究项目获国家科技进步二等奖两次；中国科学院科技进步一等奖一次、二等奖两次。目前负责在研的项目是： 1. 国家“973”项目: “新型量子阱功能材料和器件”（2001-2005） 2. 国家自然基金重大项目: “光网络用光放大器、电吸收调制器和模斑转换器串接集成材料与器件的研究”（2002-2004）

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2010/1/26 20:14:01 260楼管理分享倒序浏览只看楼主回复私聊

吴晓光 1982年毕业于武汉大学，1986年在比利时、安特卫普大学获博士学位，1987年在中国科学院半导体研究所做博士后，1990年在美国俄亥俄州、俄亥俄大学物理系做博士后。1993年他回国到中国科学院半导体研究所工作，现为研究员，博士生导师，现任半导体超晶格国家重点实验室主任。吴晓光博士长期从事低维半导体物理研究，研究内容包括低维电子系统中的极化子、准二维电子系统的回旋共振及磁场调制平面超晶格，并在国际物理期刊发表论文40余篇。吴晓光博士目前从事半导体低维结构中的电荷及自旋的光学和输运性质研究。中国科学院半导体研究所，半导体超晶格国家重点实验室，北京912信箱，邮政编码100083。完成和在研科研项目： 1. 自然科学基金《空间调制磁场下的电子系统的行为》(1995.01-1996.12) 2. 自然科学基金《基于氮化镓的低维电子系统的输运性质》(1998.01-2000.12) 3. 自然科学基金《准二维相互作用电子系统的回旋共振谱》(1999.01-2001.12) 4. 杰出青年基金《半导体自旋电子学物理研究》(2002.01-2005.12) 5. 973子项目《半导体中的自旋过程和自旋量子器件》(2002.04-2006.12)

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