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主题：【求助】AES中探测的C、N、O信息准确性

浏览0 回复2 电梯直达
hinicalon
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发表于：2009/11/11 19:12:10 楼主 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
各位大侠，最近本人研究材料表面涂层，想利用AES测试材料由表及内的元素组成及变化规律，以研究涂层是否生成及生成深度。我做的是SiC材料，操作人员给出Ar气中当前参数下标准剥离速度为17.5nm/min（好像是石英标样）。我想，SiC相对难剥离，大概在10-17nm/min之间，我所生长的涂层厚度大概为几百纳米，所以我设计了从表层到剥0.5min,1min,1.5min,2min.....直到25min的剥离程序，这样计算，深度大概在300nm左右。测试中我发现，O的含量从表面约百分之十几逐渐向心部降低，直至25分钟后仍有约百分之五，我的材料本身没有氧，而且SiC材料在室温下是不与O反应的，我想问各位大侠，单纯从空气中吸附氧，有没有可能吸附如此含量及深度？如果有，一般在进行俄歇测试前如何消除空气吸附C、N、O的影响。如果大家认为不应该是空气中吸附的现象，我也好再找其他材料制备方面的原因。多谢了！
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七月冰
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2009/11/12 9:31:20 沙发 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
你做的是SiC膜吗？
我经常做体材料。也曾经做过表面氧化试验。
我觉得首先，你对溅射速率的估计是没有什么根据的，应该重新标定一下，毕竟SiC跟SiO2差了很远。
另外，一般情况下表面吸附是很容易去除的，不会扩散到那么深。所以还是考虑一下制备工艺。
我不清楚你为什么用AES测试，如果只是因为深度剖析，xps也可以做到，而且带有价态信息，很容易就能区分表面吸附。
欢迎继续交流。

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yuansu123456
yuansu123456
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2009/11/12 21:08:30 板凳 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
恩，可能keshi 速度不准，另外你的SiC涂层是指SiC粉末涂在物体上面吧？层中有空隙，含有污染的C O等杂质，所以难以去除
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