查文献。
一般这种三元合金的晶格常数和两元的差别不大,否则晶格失配太大无法外延生长了。InGaAs通常是生长在InP衬底上的,而你这个成分In0.53Ga0.47As又非常特殊,通常被称作standard InGaAs, 主要就是此时晶格常数正好匹配InP从而stain减小到最低.
很多文献都给出了这个成分的晶格常数(和InP一致),
文献1: JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE 40 (2005) 6391–6397, 使用的是a=5.8687 Angstrom
文献2: phys. stat. sol. (b) 239, No. 1, 103– 109 (2003) 使用的是拟合, 5.65325 + 0.40515x Angstrom, x是Indium的组分。
以上两篇是随手搜来的。可能他们也是引用了别人的结果。具体是怎么得到的你再仔细读读。
原文由 amandaliux(amandaliux) 发表:
我做的是In0.53Ga0.47As
只知道是闪锌矿结构,具体的晶体结构我不知道
如果知道的话,又怎么算呢?
拜托!