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主题：【求助】PHI-650型俄歇电子谱仪在3Kev能量下一分钟能刻蚀多深？

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klzey
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发表于：2010/04/10 15:33:28 楼主 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
如题！谢谢了
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klzey
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2010/4/10 19:54:54 沙发 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
没人知道吗？

还请问下 在俄歇测量的数据中，这两个参数分别代表什么意思

EBeamEnergy：3.0 keV


SputterEnergy：4000.000 keV

请具体说说
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七月冰
xps_aes
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2010/4/12 10:21:00 板凳 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
原文由 klzey(klzey) 发表:
如题！谢谢了


Ar+离子做刻蚀速率不是一定的，就算是一定的束流密度和电压，被刻蚀的材料不同速率也不同，连续刻蚀和间断刻蚀速率也会有差别。所以要想确定可是速率考虑的因素和需要做的工作还是很多的。
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jennymumu
jennymumu
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2010/11/12 16:11:21 马扎 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
原文由 (klzey) 发表:
如题！谢谢了


我想问下 你在哪呢？ 你那里可以做俄歇吗？
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yuansu123456
yuansu123456
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2010/11/13 12:18:13 地毯 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
具体速率是得校准后定的，这个参数无法定，即使所有的参数都定了，也是通过校准实验来确定速率的
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westlover
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2010/11/24 8:41:12 地板 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
原文由 yuansu123456(yuansu123456) 发表:
具体速率是得校准后定的，这个参数无法定，即使所有的参数都定了，也是通过校准实验来确定速率的

但是，不同的材料每次都要做校准？然后用SEM或者台阶仪测定？
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2010/11/24 8:50:16 Last edit by westlover
yuansu123456
yuansu123456
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2010/11/25 9:16:35 6楼 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
溅射速率都是用SiO2的速率来定的（据我所知），我们一般所说的速率是指相对于SiO2的速率，不是测试样品的真正溅射速率。
速率是这样校准的：拿标准样品（表面有已知厚度SiO2层的Si片），设定溅射条件，然后开始溅射，看多长时间可以把siO2溅射完，然后用厚度除以时间=溅射速率。
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hakkayouth
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2011/3/27 16:31:09 7楼 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
你需要测试什么样品？我的email是hakkayouth@163.com。
我可以替你找一个就近的地方测试。

原文由 jennymumu(jennymumu) 发表:
原文由 (klzey) 发表:
如题！谢谢了


我想问下 你在哪呢？ 你那里可以做俄歇吗？
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