主题:【讨论】问一个理论的问题。

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驰奔
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针对楼主的第1问题,我查阅有关资料。

SE2、3、4...对于带有高空间分辨信息的SE1是干扰项,目前没有任何办法可以把他们从本质上区分开。但可以尽量降低这些信号在总信号量中的比例,例如降低加速电压,在样品室壁极靴壁上涂一层防护膜(二次电子产额低材料),inlence det 等。
SE2、3,带有物质1的原子序数信息。物质1原子序数越高,背散射电子发射数量越多,相应产生的SE2、3数量就越多。而se1随原子序数变化不明显,SE2,3变化较明显。
一般讲,二次电子探测器所形成的形貌像带有一定成分信息,大概多源SE2、3,还有少部分是直接背散射电子射入探测器。
您的同事感觉是对的。
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2010/6/26 4:16:55 Last edit by srd2009
fengyonghe
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对二次电子探测器而言,当它探测到一个电子,就会形成这个电子最后一次碰撞点的图像信息。与之前的有谁激发没有关系,更不会带有物质1的任何信息。这些电子只能是SE1的干扰信号。
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2010/6/27 0:06:11 Last edit by fengyonghe
驰奔
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原文由 fengyonghe(fengyonghe) 发表:
对二次电子探测器而言,当它探测到一个电子,就会形成这个电子最后一次碰撞点的图像信息。与之前的任何碰撞没有关系,更不会带有物质1的任何信息。这些电子只能是SE1的干扰信号。


冯老先生有不同意见。不过这些电子束与物质相互作用基本理论似乎上个世纪50-60年代都已经发展很完善了。
fengyonghe
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论坛是个学习交流的地方。从上世纪50-60年代到迄今为止,还没有关于这个问题的描述,即,“SE2、3,带有物质1的原子序数信息”。我的SE2与物质1无关的概念来源于二次电子的成像理论。SE1离开物质1并被二次电子探测器探测到,就形成了物质1的形貌信息,同理SE2/3被二次电子探测器探测到,同样会形成物质2/3的形貌信息,不再具有物质1的形貌信息。但在显示器上,它们可能叠加在同一个扫描点上,因而形成干扰。SE1具有物资1的原子序数信息,而SE2/3是由背散射电子(或许还有X-光子)激发的二次电子,这个二次电子从物质2离开试样表面,二次电子探测器便检测到了物质2的形貌信息,同时具有物质2的原子序数信息。归根结底,任何时候,我们能检测的是试样被激发出来的信号。
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2010/6/27 0:46:40 Last edit by fengyonghe
驰奔
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原文由 fengyonghe(fengyonghe) 发表:
论坛是个学习交流的地方。从上世纪50-60年代到迄今为止,还没有关于这个问题的描述,即,“SE2、3,带有物质1的原子序数信息”。我的SE2与物质1无关的概念来源于二次电子的成像理论。SE1离开物质1并被二次电子探测器探测到,就形成了物质1的形貌信息,同理SE2/3被二次电子探测器探测到,同样会形成物质2/3的形貌信息,不再具有物质1的形貌信息。但在显示器上,它们可能叠加在同一个扫描点上,因而形成干扰。SE1具有物资1的原子序数信息,而SE2/3是由背散射电子(或许还有X-光子)激发的二次电子,这个二次电子从物质2离开试样表面,二次电子探测器便检测到了物质2的形貌信息,同时具有物质2的原子序数信息。归根结底,任何时候,我们能检测的是试样被激发出来的信号。


您听说过转换探测器吗?如果没听说过,那么您这样错误的理解是有情可原的。
fengyonghe
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我只想知道,我上面所说的错在哪里,错了就是错了,只想弄明白其中的道理。你不会保密吧。像你上面的说法,对我理解问题毫无帮助。其实也不是我一个人的问题,摆在论坛上是给大家看的。至少楼主也希望把问题搞明白。希望你能把问题直接讲清楚,不要神秘兮兮的。不管你用什么探头,“归根结底,任何时候,我们能检测的是试样被激发出来的信号。”这句话有错吗?我上面的话错在哪,实在是不清楚。我很诚恳呐,你看不出来吗?我上面一句攻击你的话也没有!不知你为什么气呼呼的。要不,我退出对这个问题的讨论。我可以把我上面的所有回帖全部删除,你看如何?
linzq
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原文由 驰奔(srd2009) 发表:
原文由 fengyonghe(fengyonghe) 发表:

您听说过转换探测器吗?如果没听说过,那么您这样错误的理解是有情可原的。


转换探测器是不是指将背散射电子打击到一个电极(金属)上激发那个电极的二次电子(数量越多的背散射电子激发出更多的二次电子)然后被二次电子探头吸收。4800的上探头就是这样检测背散射电子的,他们称为EXB的作用之一。不过我觉得转换后背散射像的质量是无法和背散射探头直接接收的背散射像比的,至于驰奔所说的SE2\SE3是背散射激发出来所以带有他们的信息,理论上好像说的过去。不过实际上是否可行,我不敢做这样的判定。因为我觉得颗粒太小的话会有差别给你探测到吗?这只是我的自己的初步判断,一家之言不见得正确。其实概念都是在修正之中的,没有一成不变的概念。这就是我不成熟的一点看法。
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2010/6/28 10:58:39 Last edit by linzq
fengyonghe
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我对我在14#的帖子作如下修正。关于二次电子像部分,不需要修正,只对有关“原子序数”部分作如下修正:SE1的产额或者说是SE1的强弱提示了物质1的原子序数信息(但原子序数的影响较弱)。物质1 的背散射电子产额提示了物质1 的原子序数信息。物质2 的二次电子SE2的产额与物质1的原子序数和物质2的原子序数有关,只有两个原子序数同时较大时,SE2才有较高的产额。
    这里强调了“产额”,目的是不要把二次电子、背散射电子理解为单个电子的行为,单个电子是不会传递任何原子序数信息的。
tebeto
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楼上说的很严谨,现在经过大家的讨论,我也理解了,谢谢。
也就是说SE2的单个电子本身没发传递物质1的信息。但是SE2的产额却是和物质1有关的。如果物质1的原子序数高,回产生很多的BSE,这些大量的BSE会激发更多的SE2。那我是否可一这样理解, 如图。

如果这个图正确的话,那么根据激发出来的SE2量的多少,也就反映了在深处物质1和物质2原子序数的差别
fengyonghe
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