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主题：【已应助】求助三篇英文文献，谢谢

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andylool
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发表于：2010/12/28 11:25:14 楼主 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
【序号】：1
【作者】：Taishi, T; Huang, XM; Kubota, M, et al.
【题名】：Heavily boron-doped silicon single crystal growth: Boron segregation
【期刊】：JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS   
【年、卷、期、起止页码】：卷: 38    期: 3A       页: L223-L225    出版年:MAR 1 1999
【全文链接】：http://jjap.jsap.jp/link?JJAP/38/L223/

【序号】：2
【作者】：Hoshikawa, K; Huang, XM; Taishi, T, et al.
【题名】：Dislocation-free Czochralski silicon crystal growth without the dislocation-elimination-necking process
【期刊】：JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS   
【年、卷、期、起止页码】：卷: 38    期:12A        页:L1369 -L1371    出版年: DEC 1.1999
【全文链接】：http://jjap.jsap.jp/link?JJAP/38/L1369/

【序号】：3
【作者】： Yonenaga, I; Taishi, T; Huang, X, et al.
【题名】：Dynamic characteristics of dislocations in highly boron-doped silicon
【期刊】： JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   
【年、卷、期、起止页码】：卷: 89  期:10       页: 5788-5790    出版年: MAR 15 2001
【全文链接】：http://jap.aip.org/resource/1/japiau/v89/i10/p5788_s1?isAuthorized=no
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2010/12/28 11:40:02 沙发 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
请楼主仔细阅读版规，积分小于200每日第二帖必须悬赏求助，须从帖子右上角 管理-转换 成悬赏帖！但你积分几乎无，首次版规学习，下不为例了～
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mouslaka
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2010/12/28 13:11:30 板凳 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
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该帖子作者被版主 eginzon加 6积分， 2经验，加分理由：参与应助
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2010/12/28 13:12:09 马扎 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
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2010/12/28 13:12:46 地毯 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
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