主题:【求助】求大神帮忙,单晶Si的TEM制样问题?

浏览0 回复6 电梯直达
goming
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小弟最近在做一个Si的TEM样品,实验室凹坑仪很不好用
1。不知手工磨到20微米后直接上离子减薄是否可行?
2。还有,20微米厚的硅片离子减薄一般大概要减多久出孔?(离子减薄仪是Gatan的,5kv,10°)
3。硅片粘在铜环还是Mo环好?书上说Mo环有很高的强度和刚性。小弟将Si粘铜环磨了2个样,最后都感觉Si碎掉了,是因为铜环刚性不足么?
希望各位路过的大神多多指点,小弟万分感激!!
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社区=冬季=
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goming
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等做出来后一定写一篇心得跟大家分享一下。我已经把这个论坛里所有Si制样的帖子都看过了,也把老师们的课件、文章研究了一遍感觉那些有点偏理论,可我们需要的是经验啊!!!
另外,还请各位大神多多指教啊!
原文由 冬季(lylsg555) 发表:
你的制样过程还挺有意思的,写篇原创分享下?
w4m0330
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哇塞,手磨能磨到20微米,我的个神啊,分享一下心得,赶紧!
我做的是cros-section,对贴用的gatan的G1胶,手磨顶多磨到90微米(Si层的净厚度)就不敢磨了,真不敢相信楼主还有手磨能磨到20的境界,要分享啊。
凹坑磨到25微米左右就不敢磨了,到这个时候基本就透微微的红光了,随着继续变薄,还会变成橙色,黄色,我是没有磨到过黄色,橙色以后就极容易坏掉。然后离子减薄,2.5KV 掠角3-4度,大概不到两个小时就好了。我的样高于3kv就容易打坏了
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2011/7/15 1:53:35 Last edit by w4m0330
w4m0330
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minta
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risohuang
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硅片这种脆性样品我们一般磨到80微米就不敢磨了,否则很容易碎啊。
磨完了凹坑到出红光(10微米左右)
然后进离子减薄,5kv,10°,30min足已。
怕碎的话,往往是在离子减薄前粘到铜环上。

截面样品的话,如果截面样不是脆性的,同样用硅片对粘,倒是可以磨得更薄,呵呵。不用凹坑,粘铜环后 直接上离子减薄
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