主题:【讨论】独立式出射狭缝的原理和产品

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cuihuakun
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请问,独立式出射狭缝的意义是为了提高通过出射狭缝的光通量吗?还有其他的意义吗?出射狭缝如何进行装配校准?国内外有哪些公司的产品是独立式出射狭缝结构,麻烦懂的给予指导一下!
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这个产品还真没注意过,出射狭缝的调试是一门专业技术,非一般人所能做的。
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yushushi
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主要注意两方面:
1、缝宽
2、装配时的垂直度
3、波长定位准确度
需要在工具显微镜下面,先调好位置,,,然后调平(垂直度)。位置可能需要调很多此,一开始是放在理论计算值+谱带平移量(光路装配时因入射角度等的变化引入的理论位置的偏移,需要用特殊样品(谱线少,有明显特征线的样品)事先找出理论谱线与实际照相位置的差值。初装后,用仪器自带的狭缝扫描功能描迹要求各个通道在入射狭缝位置正在调整轨迹与罗兰圆的切点上时,能够描出所有出射狭缝的峰值为准。
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yushushi
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如果描后发现不各个元素通道的峰位不同,或不在入缝轨迹与罗兰圆的切点位置,需要根据描迹结果计算出差值,在工具显微镜下再做细调。实际操作比较有难度,需要经验。
cuihuakun
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原文由 yushushi(yushushi) 发表:
主要注意两方面:
1、缝宽
2、装配时的垂直度
3、波长定位准确度
需要在工具显微镜下面,先调好位置,,,然后调平(垂直度)。位置可能需要调很多此,一开始是放在理论计算值+谱带平移量(光路装配时因入射角度等的变化引入的理论位置的偏移,需要用特殊样品(谱线少,有明显特征线的样品)事先找出理论谱线与实际照相位置的差值。初装后,用仪器自带的狭缝扫描功能描迹要求各个通道在入射狭缝位置正在调整轨迹与罗兰圆的切点上时,能够描出所有出射狭缝的峰值为准。

首先非常感谢yushushi老师的回答,我仔细阅读后基本理解你的意思。但仍有几个问题:
首先,在调出缝的位置时,一般是在空气环境下进行样品激发,并根据描迹差值进行调试。但抽真空后谱线会因空气折射率的变化而发生偏移,请问这一偏移应如何在调试中校正?
其次,对于P、S、B等短波元素,无法在空气环境下看谱线,对于这些元素的出缝应如何调整?
最后,请问定光栅和入射狭缝是用何种方式?定光栅、定入缝和定出缝 三者之间有先后顺序吗?
不胜感激!
cuihuakun
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没人关注了~自己顶一下 希望懂光学装配校准的一起讨论一下,如何装配光谱仪的入缝、凹面光栅、小折射镜和出射狭缝?
chauchylan
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cuihuakun
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传统的整体板带是以罗兰圆为圆心的,但独立式狭缝可以调整至均朝向光栅,可以最大限度的使光通过,提高测试强度
草原之恋
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yushushi
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把三者的理论位置划线,然后放置好。先定光栅的放置角度和俯仰,需要做个镭射灯工装准确卡在光栅理论法线的位置上,要求镭射灯光线通过光栅反射后能和原来发光点重合(调整光栅俯仰和入射角用),然后放置入射狭缝,出射狭缝(不紧固,只是按照理论位置放置)。激发铁样,关灯观察谱带是否为水平(调节光栅刻线与底面垂直用),然后固定好光栅,再次检查前两实验结果(紧固时有时会跑偏)。然后用照相的方法找到焦距来调节入缝和出缝罗兰块的位置(注意,照相时,入射狭缝要调整到入缝移动机构运动轨迹与罗兰元的切点位置上,这很重要!。注意要同时照顾到长波和短波部分,不能让罗兰块只对齐一边焦距!再最后,激发Si块照相(Si的谱线少,特征线明显,可作为基准),照相后找出照相实际Si线位置与理论位置之差值,把这个差值当成谱带平移均值,引入到所有出射狭缝理论位置当中做校正。然后初定出缝位置,,,然后狭缝扫描,,,然后工具显微镜下面调节,,,然后再扫描,,,,,直到调好为止。
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yushushi
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至于折射率改变的因素,有几种方法解决,主要看你的光室是真空充氮式的还是时时真空式,如果是充氮式的,你的光路中除透镜外没有其他透射器件(折射板等等)的话,那么不用考虑折射率改变的情况(空气中氮气含量高达75%以上!折射率与纯氮区别不大!)如果是时时真空的,需要抽过真空后再做描迹,比较麻烦!
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