原文由 诚信(zhaoxudong-1) 发表:
试剂用超纯的HF酸和硝酸(一般用日本的TAMPURE,规格金属含量小于10ppt),水用默克密理博的超纯水机另加一个除硼柱,制出来的水金属含量也小于10ppt),然后该操作都要在至少千级的实验室完成即可。这个数据半导体多晶硅实验室都应该能达到的。
原文由 光哥(xsh1234567) 发表:原文由 诚信(zhaoxudong-1) 发表:
试剂用超纯的HF酸和硝酸(一般用日本的TAMPURE,规格金属含量小于10ppt),水用默克密理博的超纯水机另加一个除硼柱,制出来的水金属含量也小于10ppt),然后该操作都要在至少千级的实验室完成即可。这个数据半导体多晶硅实验室都应该能达到的。
这个是固体硅中的浓度,并非是消解处理后溶液中的浓度。个人认为还是相当有难度,甚至感觉是不可能的,几个ppt,不是几个ppb、
另外,疑惑的是B/P是如何做到的。低温FTIR也达不到这个限度吧
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试剂用超纯的HF酸和硝酸(一般用日本的TAMPURE,规格金属含量小于10ppt),水用默克密理博的超纯水机另加一个除硼柱,制出来的水金属含量也小于10ppt),然后该操作都要在至少千级的实验室完成即可。这个数据半导体多晶硅实验室都应该能达到的。
这个是固体硅中的浓度,并非是消解处理后溶液中的浓度。个人认为还是相当有难度,甚至感觉是不可能的,几个ppt,不是几个ppb、
另外,疑惑的是B/P是如何做到的。低温FTIR也达不到这个限度吧
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试剂用超纯的HF酸和硝酸(一般用日本的TAMPURE,规格金属含量小于10ppt),水用默克密理博的超纯水机另加一个除硼柱,制出来的水金属含量也小于10ppt),然后该操作都要在至少千级的实验室完成即可。这个数据半导体多晶硅实验室都应该能达到的。
这个是固体硅中的浓度,并非是消解处理后溶液中的浓度。个人认为还是相当有难度,甚至感觉是不可能的,几个ppt,不是几个ppb、
另外,疑惑的是B/P是如何做到的。低温FTIR也达不到这个限度吧
在百级的无尘实验室,再加上热电的ICP-MS(扇形检测器,不是四级杆或者八级杆),都能做到ppq,何况ppt呢?你认为呢?