主题:【原创】没有做不到,只怕想不到——如何得到一张电池薄膜的真实的SEM图像

浏览0 回复63 电梯直达
fengyonghe
结帖率:
100%
关注:0 |粉丝:0
新手级: 新兵


这张图是1.50KV减速,应该可以在这个加速电压下继续调整stage bias 达到更好的效果:



不一定非要用500v、200V加速电压。
赞贴
0
收藏
0
拍砖
0
2013/4/22 18:03:03 Last edit by fengyonghe
asahi42
结帖率:
100%
关注:0 |粉丝:0
新手级: 新兵
原文由 fengyonghe(fengyonghe) 发表:

这张图是1.50KV减速,应该可以在这个加速电压下继续调整stage bias 达到更好的效果:

不一定非要用500v、200V加速电压。


那张图主要说明的问题是1.5kV的着陆电压下有非常严重的样品变形,光靠调整Bias也许能够增加信噪比,但是却不能保护样品。
fengyonghe
结帖率:
100%
关注:0 |粉丝:0
新手级: 新兵
asahi42
结帖率:
100%
关注:0 |粉丝:0
新手级: 新兵
scienceman
结帖率:
100%
关注:0 |粉丝:0
新手级: 新兵
zhengyihao
结帖率:
100%
关注:0 |粉丝:0
新手级: 新兵
天黑请闭眼
结帖率:
100%
关注:0 |粉丝:0
新手级: 新兵
原文由 asahi42(asahi42) 发表:
原文由 fengyonghe(fengyonghe) 发表:
多谢,知道了。




如果是氧化硅薄膜沉积在Si片上,该用什么参数比较好呢?实在太平,那么最好考虑倾转样品?
fengyonghe
结帖率:
100%
关注:0 |粉丝:0
新手级: 新兵
原文由 天黑请闭眼(shxie) 发表:
原文由 asahi42(asahi42) 发表:
原文由 fengyonghe(fengyonghe) 发表:
多谢,知道了。




如果是氧化硅薄膜沉积在Si片上,该用什么参数比较好呢?实在太平,那么最好考虑倾转样品?


参考林老师的擂台。
天黑请闭眼
结帖率:
100%
关注:0 |粉丝:0
新手级: 新兵
原文由 fengyonghe(fengyonghe) 发表:
如果是氧化硅薄膜沉积在Si片上,该用什么参数比较好呢?实在太平,那么最好考虑倾转样品?


参考林老师的擂台。

thanks. 不过林老师的片子俺这个新手可操作性不大啊,asahi的仪器和俺一样,条件还好掌控一点......
linzq
结帖率:
100%
关注:0 |粉丝:0
新手级: 新兵
原文由 天黑请闭眼(shxie) 发表:
原文由 fengyonghe(fengyonghe) 发表:
如果是氧化硅薄膜沉积在Si片上,该用什么参数比较好呢?实在太平,那么最好考虑倾转样品?


参考林老师的擂台。


thanks. 不过林老师的片子俺这个新手可操作性不大啊,asahi的仪器和俺一样,条件还好掌控一点......

有CBS吗?有的话大工作距离加点倾转,再试试。CBS是背散射探头,受荷电影响小。

单晶表面,用下探头可以看出凹凸不平的景象。

不过4800的下探头在侧面,所以凹凸表现会好一些,你的样品要出来倾斜是需要的,等于是探头装在侧面。
赞贴
0
收藏
0
拍砖
0
2013/4/27 14:09:03 Last edit by linzq
猜你喜欢最新推荐热门推荐更多推荐
品牌合作伙伴