原文由 天黑请闭眼(shxie) 发表:
原文由 fengyonghe(fengyonghe) 发表:
如果是氧化硅薄膜沉积在Si片上,该用什么参数比较好呢?实在太平,那么最好考虑倾转样品?
参考林老师的擂台。
thanks. 不过林老师的片子俺这个新手可操作性不大啊,asahi的仪器和俺一样,条件还好掌控一点......
有CBS吗?有的话大工作距离加点倾转,再试试。CBS是背散射探头,受荷电影响小。
单晶表面,用下探头可以看出凹凸不平的景象。
不过4800的下探头在侧面,所以凹凸表现会好一些,你的样品要出来倾斜是需要的,等于是探头装在侧面。