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原文由 TEM_ABC 发表:
你看到的结构是真实的，至于为何在正焦时观察不到，而欠焦与过焦衬度翻转，可以用相位衬度理论很好地解释。不过，这不是大家所熟悉的弱相位物体近似（因为像在正焦附近，非薛泽欠焦附近），而是一个称为投影电荷密度（Projected Charge Density）的近似。有兴趣者，可参阅 Cowley & Moodie (1960) Proc. Phys. Soc. 76, 378
简而言之，像强度在接近正焦附近，可表达为：I(x,y)=1+2L S D P(x,y)。这里的L是波长，S是作用常数sigma，D是离焦量，P(x,y）是投影电势（无法敲入希腊字母，痛苦）。当正焦D=0，相位衬度太低，像衬以质厚衬度为主，可用密度解释；当过焦和欠焦变化时D>0或者D<0，相位衬度就发生了翻转。轻元素的投影势小，故在欠焦的情形下表现为亮，在过焦的情形下表现为暗。至于背底仍受质厚衬度支配，改变聚焦时没有太大的变化。是否可以圆满地解释你的高分子材料了？
发文章时别忘了在参考文献中引用TEM_ABC（2006）Instrument.com.cn啦
原文由 TEM_ABC 发表:
我在前面也提到，此公式是相位衬度理论，故D=0的时候质厚衬度支配。P(x,y)是投影势场，由总原子序数（高分辨率下，沿厚度方向的总和）或投影密度（低倍数下，也包含厚度的积分）决定。相位衬度又决定样品不可以过厚（至少是相位物体），否则公式不再成立。
通常所说的最佳欠焦量（薛泽欠焦）是针对最佳分辨率而言的。对你的分辨率几个纳米的应用，并不关键。你所追求的是足够的衬度，亦即以欠焦增加相位衬度。对于类似的低衬度样品，欠焦几个微米到几十个微米都不罕见，只要你的衬度合适。通常会在衬度适应的前提下，尽可能地少点欠焦，以补偿分辨率的损失。
此外，你的欠焦量是读出来的还是测出来的？前者会有一些水分，后者（用FFT）会准确地多。
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