主题：【讨论】氧化物和双电荷究竟是接口还是在接口之前形成的呢

原文由 阶前尘(jieqian1211) 发表:
等离子体和接口处产生的，而且双电荷在后续的离子通道中似乎更难消除！

原文由 timstoICPMS(timstoICPMS) 发表:
你当了一年多版主，还不知道这个？
是在接口形成的——所以雾化气流量、RF 功率、采样深度决定了双电荷和氧化物产率。

原文由 阶前尘(jieqian1211) 发表:
在一定界限内，等离子体功率越低氧化物产率越高，在接口处因为碰到了“冷”的采样锥会让氧化物产率上升；

双电荷因为是二次电离造成，所以那些第二电离能低的在功率越高的等离子体中，其产率就越高！

原文由 timstoICPMS(timstoICPMS) 发表:
有英文原版的，推荐给你。

采样锥后是扩散区(Expansion chamber)，从标准大气压骤降到<300 Pa；离子束在穿越采样锥孔<1cm的距离内，等离子热能(8000 K) 转化为离子动能，扩散速率(~2500m/s)超过声速——这就是 frozen 的含义。

穿越采样锥后，等离子体的电子温度基本不变(5000-7500 K)，但电子密度在极短时间内(<5 us)骤降，因此电子与离子在锥后重新结合是不可能的。采样锥与截取锥的几何形状、摆放的相对位置都是有讲究的。

http://bbs.instrument.com.cn/shtml/20130730/4879015/

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是不是在冷的采样锥后，也容易结合除电子之外的其它呢？

原文由 无非须臾(qq761562270) 发表:
如何降低双电荷和氧化物呢？
我用A的7700的时候当灵敏度比较好的时候，这两个指标都比较高。有的时候为了降低这两个指标，就牺牲了灵敏度……
而用A的7500的时候这两个指标就比较好。
不懂什么原因，求指教
如何降低这个指标，动那些参数会比较有效降低这两个参数呢？

原文由 timstoICPMS(timstoICPMS) 发表:
有英文原版的，推荐给你。

采样锥后是扩散区(Expansion chamber)，从标准大气压骤降到<300 Pa；离子束在穿越采样锥孔<1cm的距离内，等离子热能(8000 K) 转化为离子动能，扩散速率(~2500m/s)超过声速——这就是 frozen 的含义。

穿越采样锥后，等离子体的电子温度基本不变(5000-7500 K)，但电子密度在极短时间内(<5 us)骤降，因此电子与离子在锥后重新结合是不可能的。采样锥与截取锥的几何形状、摆放的相对位置都是有讲究的。

http://bbs.instrument.com.cn/shtml/20130730/4879015/

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是不是在冷的采样锥后，也容易结合除电子之外的其它呢？