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主题：请教一个问题，能不能知道SI-O键在TG中的分解温度是多少？

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wuxiuling
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发表于：2006/11/30 22:02:00 楼主 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
请教一个问题，能不能知道SI-O键在TG中的分解温度是多少？我做的一点物是硅螯合物，改性前后TG对比，失重时的相应温度前面提高比较多，慢慢变小，到450度左右，跟改性前差不多，是不是SI-O键在前面就分解了。O是联着苯环的，知道的给个回复吧，谢谢了！
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2006/12/1 9:58:00 沙发 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
硅氧键还是很稳定的吧
前面的失重是不是跟鳌合物的其他部分有关系呢？



原文由 wuxiuling 发表:
请教一个问题，能不能知道SI-O键在TG中的分解温度是多少？我做的一点物是硅螯合物，改性前后TG对比，失重时的相应温度前面提高比较多，慢慢变小，到450度左右，跟改性前差不多，是不是SI-O键在前面就分解了。O是联着苯环的，知道的给个回复吧，谢谢了！
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