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主题：【求助】扫描电镜中二次电子的穿透深度及吸收问题

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zxr1231981
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发表于：2007/01/15 20:36:00 楼主 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
该帖子已被RENXIN设置为精华；
请问大家一下，扫描电镜是通过二次电子信息显示表面形貌。弱弱的问，二次电子有没有可能被吸收，而显示不了膜表面的信息？
再问一下，二次电子的最小穿透深度是多少？
谢谢大家了。
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2007/1/24 14:23:00 沙发 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
原文由 zxr1231981 发表:
请问大家一下，扫描电镜是通过二次电子信息显示表面形貌。弱弱的问，二次电子有没有可能被吸收，而显示不了膜表面的信息？
再问一下，二次电子的最小穿透深度是多少？
谢谢大家了。



如果是深层的二次电子会被吸收而成为吸收电子，只有接近表层的二次电子才能逸出来显示表层情况。一般二次电子能够逸出的深度大概在10nm左右吧，再深了可能就出不来了。
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instrumentcom
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2007/8/8 22:28:00 板凳 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
应该是二次电子
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磨剪子嘞 锵菜刀
amoslau
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2007/8/9 15:03:00 马扎 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
5-50nm深度，逃逸出来的50eV以下的就是二次电子
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Last edit by amoslau
redskinworm
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2007/8/10 12:11:00 地毯 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
二次电子有可能被吸收，成为吸收电子。但探头是靠逸出的二次电子成象的，跟吸收电子没关系。而跟二次电子的数量有关，二次电子的数量主要决定于样品的二次电子产出率，加速电压，倾斜角度等。
二次电子的产出深度在10NM一下，但穿透深度跟样品、加速电压等有关。这2个是不同的概念。
不知楼主满意不？
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RENXIN
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2007/8/16 20:03:00 地板 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
原文由 redskinworm 发表:
二次电子有可能被吸收，成为吸收电子。但探头是靠逸出的二次电子成象的，跟吸收电子没关系。而跟二次电子的数量有关，二次电子的数量主要决定于样品的二次电子产出率，加速电压，倾斜角度等。
二次电子的产出深度在10NM一下，但穿透深度跟样品、加速电压等有关。这2个是不同的概念。
不知楼主满意不？

楼主满意否我不知道，但我很不满意，您讲的都错了。

二次电子的产率几乎不受加速电压的影响，这个很难让人相信，但是是事实。

样本的影响对二次电子的产率也很小，只有在轻元素区有一定的影响。

请您参考我以前的每周一问帖子，希望会有帮助。
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RENXIN
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2007/8/16 20:42:00 6楼 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
原文由 xuexiren 发表:
原文由 zxr1231981 发表:
请问大家一下，扫描电镜是通过二次电子信息显示表面形貌。弱弱的问，二次电子有没有可能被吸收，而显示不了膜表面的信息？
再问一下，二次电子的最小穿透深度是多少？
谢谢大家了。



如果是深层的二次电子会被吸收而成为吸收电子，只有接近表层的二次电子才能逸出来显示表层情况。一般二次电子能够逸出的深度大概在10nm左右吧，再深了可能就出不来了。


讲得很确切，同意您的观点。
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bossvip
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2007/8/23 9:57:00 7楼 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
所谓的二次电子一般指的是电子能量低于50EV的。
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zemb
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2007/8/23 17:17:00 8楼 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
上传一幅图，供参考。



E1≈1keV，E2≈5keV。

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Last edit by zemb
磨剪子嘞 锵菜刀
amoslau
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2007/8/24 9:09:00 9楼 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
好图，收藏了，论坛就应该是这个样子嘀！
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cookhdy
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2007/9/16 11:22:00 10楼 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
二次电子产额＝二次电子信号强度/入射电子束强度
影响二次电子的产额的因素：
              1.入射电子的能量；产额随着入射电子能量增大而增大，当时当产额到了一定值时，入射电子能量增加对产额的影响不大
              2.原子序数Z；Z增加，产额略有增加
              3.样品倾斜角；对于光滑表面，入射电子能量大于1eV时，产额与样品的倾斜角的余弦大致称反比
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