主题:【讨论】关于高分辨像种类的疑惑

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jeffrylee
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从书本上看到,高分辩像主要有晶格条纹像,一维结构像,二维晶格像(单胞尺度的像),二维结构像(原子尺度的像;晶体结构像)以及特殊像等多种。
  其分别的解释分别如下:
  晶格条纹像:如果用物镜光阑选择后焦平面上的两个波来成像,由于两个波
的干涉,得到一维方向上强度呈周期变化的条纹花样,就是晶格条纹像。不
要求电子束准确平行与晶格平面。常用与微晶和析出物的观察,可以揭示微
晶的存在以及形状,但不能获得结构信息。但可通过衍射环的直径和晶格条
纹间距来获得。
  一维结构像:如果倾斜晶体,使电子束平行于某一晶面入射,就可以获得一
维衍射条件的花样。使用这种衍射花样,在最佳聚焦条件下拍摄的高分辨率
电子显微像不同于晶格条纹像,含有晶体结构的信息。即将观察像与模拟像
对照,就可以获得像的衬度与原子排列的对应关系。
  二维晶格像:如果电子束平行于某晶带轴入射,就可以满足二维衍射条件的
衍射花样。在透射波附近出现反映晶体单胞的衍射波。在衍射波和透射波干
涉生成的二维像中,能观察到显示单胞的二维晶格像。该像虽然含有单胞尺
度的信息,但不含原子尺度的信息,称为晶格像。
  二维结构像:在分辨率允许的范围内,尽可能多用衍射波成像,就可以使获
得的像中含有单胞内原子排列的信息。一般结构像只有在比较薄的区域才能
观察到,但对于轻元素在较厚的区域也可以观察到结构像。

    对于以上这四个概念,我的认识非常模糊,一维晶格像的概念我还算理解,但是晶格条纹像和二维结构像、二维晶格像在电镜上是如何实现的?我记得论坛上有不少帖子里面的电镜照片的讨论中都提到了必须由多种成像的照片才能确定晶体的结构,这又是为什么?shxie大侠,ustb大侠,能否根据你们手中已有的照片或者其他资料来给个例证来解释解释呢?多谢了。
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Jin
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<材料评价的高分辨电子显微方法> --进藤大辅, 平贺贤二.
第二章 图文并茂
你可以看一下
jeffrylee
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多谢querida!您说的这本书我有,就是看着上面的介绍我也挺难理解,更想知道的是这几种像的获取在电镜上是如何操作的呢?我在TEM方面是个新手,光有这种非直观的理论有时候挺难让我理解的,大大能不能结合实际的操作举一下例子?
sun-guo
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原文由 jeffrylee 发表:
多谢querida!您说的这本书我有,就是看着上面的介绍我也挺难理解,更想知道的是这几种像的获取在电镜上是如何操作的呢?我在TEM方面是个新手,光有这种非直观的理论有时候挺难让我理解的,大大能不能结合实际的操作举一下例子?


从图像本身来说,晶格像与结构像没有区别,即都是一维条纹像或二维点阵像。一个高分辨像究竟是晶格像还是结构像,关键在于两者成像条件不同。高分辨像要想成为结构像,必须满足如下两条:(1)弱相位体近似,即样品厚度非常薄,2nm左右;(2)谢策尔聚焦,即最佳欠焦量。只有满足上述两个条件得到的高分辨像才可称为结构像,不论一维还是二维,即像直接与材料原子结构的势函数投影相对应,可以用来进行结构分析。然而实际情况是,样品厚度较大,通常100nm左右,最佳欠焦量也较难判定,这种条件也可以形成高分辨像,但这种像纯粹是电子数通过晶格后相干涉的结果,只反映晶格的几何信息,与材料的真实结构(即各原子占位)没有直接关系,这种像就称为晶格像。

简言之,结构像就是满足弱相位体近似和谢策尔聚焦的高分辨像,而晶格像是不满足上述条件的高分辨像。

在实际工作中,人们通常会在样品不同部位处拍摄一系列欠焦像,然后通过模拟的方法,从中挑选出满足结构像成像条件的图像,以此作为结构像进行原子占位的结构分析
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