主题：【求助】农业部进行农药残留监测的时候使用的是哪一个标准？是gb2763-2005 吗？

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原文由 zb_hongyu 发表:
各位高手，我们是X荧光新丁，我想请问各位
1、Si（Li）就是Si-PIN吗？
2、硅漂移和漂移硅是等同的吗？如果不是，那么所谓的SDD指哪个？

    PIN是半导体器件的许多种结构之一，是由一层P型半导体（受主杂质为主导，带正电荷[Positive]的空穴是多数载流子）和一层N型半导体（施主杂质为主导，带负电荷[Negative]的电子是多数载流子）以及它们中间的一层I(Intrinsic[本征半导体即没有杂质或者施主杂质和受主杂质正好完全补偿的半导体]或者Insulator[绝缘体])层组成的结构。
    PIN探测器是具有PIN结构的（其中间层实际上是高阻的全耗尽层，其载流子很少，与本征层和绝缘体层有类似之处）用于探测光和射线的探测器件。硅PIN探测器室温下的漏电流在纳安（nA）数量级，比其上一代的硅面垒探测器要小差不多3个数量级，是硅面垒探测器的换代产品，但是PIN探测器的电容仍然和面垒探测器一样，随探测器面积的增大而正比增大，这导致探测器噪声还是偏大，同时成形时间常数不能太小因而计数率不能高。这就是PIN探测器不仅在技术上而且在性能上也要比硅漂移探测器差整整一代的原因。
    绝大多数PIN探测器是用硅做的，所以如果不特别指出，PIN探测器指的就是Si-PIN或者硅PIN探测器。
    硅(锂)[ Si(Li)]探测器，也叫硅锂漂移探测器。是在P型硅表面蒸发一层金属锂并扩散形成PN结，然后在反向电压和适当温度下使锂离子在硅原子之间漂移入硅中，由于锂离子很容易吸引一个自由电子而成为施主，从而与硅中的P型（受主）杂质实现补偿而形成高阻的本征层(探测器的灵敏区)。硅(锂)探测器的特点是灵敏层厚度可以做得相当大（3-10毫米），因而探测器电容也比较小，探测效率高，但是必须在液氮冷却下保存（因为在室温下锂离子的迁移能力已经不能忽略了，而锂离子的迁移会破坏在制备硅(锂)探测器时达到的精密补偿。这是硅(锂)探测器保存时候也需要在液氮温度的根本原因。当然还有其它原因）和工作，一般说来其能量分辨、高计数率性能、使用方便性、体积和价格等性能都不如硅漂移探测器。请注意：硅锂漂移探测器和硅漂移探测器是两种不同的探测器，硅锂漂移探测器是因为在制造过程中采用了锂离子漂移补偿的方法而得名，而硅漂移探测器则是射线产生的载流子（电子-空穴对）中的电子先必须漂移到阳极区以后才能形成可以测量的电信号（硅漂移探测器中空穴对电信号没有贡献）而得名。
    硅漂移探测器（SDD）是在高纯n型硅片的射线入射面制备一大面积均匀的pn突变结，在另外一面的中央制备一个点状的n型阳极，在阳极的周围是许多同心的p型漂移电极。在工作时，器件两面的pn结加上反向电压，从而在器件体内产生一个势阱(对电子)。在漂移电极上加一个电位差会在器件内产生一横向电场，它将使势阱弯曲从而迫使入射辐射产生的信号电子在电场作用下先向阳极漂移，到达阳极(读出电极)附近才产生信号。硅漂移探测器的阳极很小因而电容很小，同时它的漏电流也很小，所以用电荷灵敏前置放大器可低噪声、快速地读出电子信号。
    硅漂移探测器的结构要比以前的半导体探测器复杂许多，对设备要求更高，制造难度也很大。但是硅漂移探测器的性能极为优异，不仅探测器的漏电流比硅面垒探测器要小差不多3个数量级，探测器的电容也要比Si-PIN和硅面垒探测器小2个数量级左右，所以噪声很低，并且可以快速地读出电子信号，是探测光、X射线和带电粒子的最佳选择，其能量分辨本领和高计数率性能是所有半导体探测器中最好的，最好的能量分辨已经达到127eV，远远好于Si-PIN探测器，也明显好于传统的硅(锂)[Si(Li)]探测器，能谱采集的速度也比一般硅(锂)探测器快5-10倍，而且不需要液氮，是硅PIN探测器和硅(锂)探测器的换代产品。
    硅漂移探测器（SDD）发展很快，现在已经有了第二代商品硅漂移探测器（VITUS SDD，外部场效应管硅漂移探测器，又叫分析级硅漂移探测器）。它保留了第一代商品硅漂移探测器的优点，又克服了离子注入技术带来的缺点，采用第二代商品硅漂移探测器的X射线谱仪的分析性能达到了液氮冷却的硅(锂)[Si(Li)]探测器的水平，而采集速度要比一般硅(锂)探测器快5-10倍，而且不需要液氮、小巧轻便许多。
    更详细的情况请看www.bjgfd.cn上的“专业词典”网页中的介绍和参考专业文献。

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不知你的信息是哪里来的,但我目前为止还没有看到哪一家的产品中Si漂检测器的分辨率优于Si(Li)的呢.如果有的话,请指出

原文由 binfu 发表:
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电子分析天平期间核查方法