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主题：【求助】请教大侠，要生长的薄膜和基底晶格的不匹配在一个什么范围之内才能实现外延生长？

浏览0 回复6 电梯直达
aipanhong
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发表于：2007/08/20 19:35:00 楼主 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
如题，请大侠帮忙!感谢！！
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silva
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2007/8/21 10:01:00 沙发 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
这方面真还没有看到有明显的范围，一般都是尽量让错配度小，越小越好。
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lilele
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2007/8/28 9:59:00 板凳 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
一般的说位错密度要在10000/cm2以下，才可以。
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2007/8/28 12:04:00 马扎 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
位错密度？这方面的文章和书籍一点也没接触过，能详细说一下吗？谢谢！
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xawfnh
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2007/9/22 10:36:00 地毯 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
随便找本半导体材料书就有
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wu_yan
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2009/2/16 14:56:17 地板 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
这个问题与位错密度无关，主要在于两种材料的晶格失配大小。如果失配相差很大，建议先外延缓冲层（晶格常数介于衬底和需要的材料之间），将缓冲层的质量长好后，再外延需要的材料。
但是位错密度会影响外延材料的晶体质量，因此也会间接有些影响。
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wu_yan
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2009/2/16 14:56:18 6楼 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
这个问题与位错密度无关，主要在于两种材料的晶格失配大小。如果失配相差很大，建议先外延缓冲层（晶格常数介于衬底和需要的材料之间），将缓冲层的质量长好后，再外延需要的材料。
但是位错密度会影响外延材料的晶体质量，因此也会间接有些影响。
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Last edit by wu_yan
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