原文由 TEM_ABC 发表:
你看到的结构是真实的,至于为何在正焦时观察不到,而欠焦与过焦衬度翻转,可以用相位衬度理论很好地解释。不过,这不是大家所熟悉的弱相位物体近似(因为像在正焦附近,非薛泽欠焦附近),而是一个称为投影电荷密度(Projected Charge Density)的近似。有兴趣者,可参阅 Cowley & Moodie (1960) Proc. Phys. Soc. 76, 378
简而言之,像强度在接近正焦附近,可表达为:I(x,y)=1+2L S D P(x,y)。这里的L是波长,S是作用常数sigma,D是离焦量,P(x,y)是投影电势(无法敲入希腊字母,痛苦)。当正焦D=0,相位衬度太低,像衬以质厚衬度为主,可用密度解释;当过焦和欠焦变化时D>0或者D<0,相位衬度就发生了翻转。轻元素的投影势小,故在欠焦的情形下表现为亮,在过焦的情形下表现为暗。至于背底仍受质厚衬度支配,改变聚焦时没有太大的变化。是否可以圆满地解释你的高分子材料了?
发文章时别忘了在参考文献中引用TEM_ABC(2006)Instrument.com.cn啦
原文由 TEM_ABC 发表:
我在前面也提到,此公式是相位衬度理论,故D=0的时候质厚衬度支配。P(x,y)是投影势场,由总原子序数(高分辨率下,沿厚度方向的总和)或投影密度(低倍数下,也包含厚度的积分)决定。相位衬度又决定样品不可以过厚(至少是相位物体),否则公式不再成立。
通常所说的最佳欠焦量(薛泽欠焦)是针对最佳分辨率而言的。对你的分辨率几个纳米的应用,并不关键。你所追求的是足够的衬度,亦即以欠焦增加相位衬度。对于类似的低衬度样品,欠焦几个微米到几十个微米都不罕见,只要你的衬度合适。通常会在衬度适应的前提下,尽可能地少点欠焦,以补偿分辨率的损失。
此外,你的欠焦量是读出来的还是测出来的?前者会有一些水分,后者(用FFT)会准确地多。