主题:【求助】三氯氢硅化验用得色普仪问题及如何降低低沸物问题

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ily2006
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请问如何降低三氯氢硅在精馏时的低沸物,从而提高产品纯度(如何得到99%纯度),另外,请问色谱仪要如何分析才是对样品最准得分析,谢谢。
推荐答案:核桃回复于2007/10/12
三氯氢硅加压提纯方法及其装置
一种三氯氢硅加压提纯方法及其装置,将待提纯的三氯氢硅、四氯化硅、氯硅烷混合液输入提纯塔的加料口,混合液经提纯塔下流至蒸馏釜,蒸馏釜压力为0.15MPa~1.5MPa、温度为70℃~200℃:从蒸馏釜出来的蒸汽进入提纯塔中进行热量与成分的交换与分离,提纯塔内的操作温度为40~150℃,沸点低的三氯氢硅组分在汽相中富集,沸点高的四氯化硅组分在液相中富集,经过多次汽化、冷凝,最终在汽相中得到三氯氢硅汽化组分,然后进入塔顶水冷凝器,经循环水冷却、冷凝成三氯氢硅液体。本发明可使同样塔径的提纯塔产量提高50%;减少了冷冻所需的设备投资和设备运行费用,塔顶水冷凝器的换热效率提高约15%,大大降低了能耗。
1.一种三氯氢硅加压提纯方法,其特征在于其方法和技术参数如下:(1)、将待提纯的三氯氢硅(SiHCl3)、四氯化硅(SiCl4)氯硅烷混合液输入提纯塔的加料口,混合液经提纯塔下流至蒸馏釜;(2)、用热媒加热蒸馏釜至70℃~200℃,使三氯氢硅和四氯化硅的混合液体被蒸馏并产生汽化,蒸馏釜控制压力为0.15MPa~1.5MPa;(3)、从蒸馏釜排汽管出来的汽化蒸汽通过连接管进入提纯塔中,提纯塔内的操作温度为40~150℃,来自蒸馏釜的SiHCl3、SiCl4的混合蒸汽在提纯塔的各级筛板上进行热量与成份的交换与分离,沸点低的三氯氢硅组分在汽相中富集,沸点高的四氯化硅组分在液相中富集,经过多次部分汽化或部分冷凝,最终在汽相中得到易挥发、较纯的三氯氢硅汽化组分,在提纯塔中得到沸点高的四氯化硅组分;(4)、从提纯塔出来的三氯氢硅汽化组分通过导管进入塔顶水冷凝器,塔顶水冷凝器采用普通循环水冷却,三氯氢硅汽化组分经冷却,冷凝成液体,即沸点低的三氯氢硅液体;(5)、从蒸馏釜的排液管排出较难挥发的四氯化硅液体。
补充答案:

〓疯子哥〓回复于2007/10/15

三氯氢硅是生产有机硅烷偶联剂的重要原料。用于有机硅烷和烷基、芳基以及有机官能团氯硅烷的合成,是有机硅烷偶联剂中最基本的单体,将三氯氢硅与氯乙烯或氯丙烯进行合成反应,再经精馏提纯,可得到乙烯基或丙烯基系列的硅烷偶联剂产品。三氯氢硅也是生产半导体硅、单晶硅的重要原料。

coolbrother回复于2007/10/15

三氯氢硅是干什么用的?

qiuhan2010回复于2007/12/04

三氯氢硅的分析方法是怎么样的?

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核桃
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三氯氢硅加压提纯方法及其装置
一种三氯氢硅加压提纯方法及其装置,将待提纯的三氯氢硅、四氯化硅、氯硅烷混合液输入提纯塔的加料口,混合液经提纯塔下流至蒸馏釜,蒸馏釜压力为0.15MPa~1.5MPa、温度为70℃~200℃:从蒸馏釜出来的蒸汽进入提纯塔中进行热量与成分的交换与分离,提纯塔内的操作温度为40~150℃,沸点低的三氯氢硅组分在汽相中富集,沸点高的四氯化硅组分在液相中富集,经过多次汽化、冷凝,最终在汽相中得到三氯氢硅汽化组分,然后进入塔顶水冷凝器,经循环水冷却、冷凝成三氯氢硅液体。本发明可使同样塔径的提纯塔产量提高50%;减少了冷冻所需的设备投资和设备运行费用,塔顶水冷凝器的换热效率提高约15%,大大降低了能耗。
1.一种三氯氢硅加压提纯方法,其特征在于其方法和技术参数如下:(1)、将待提纯的三氯氢硅(SiHCl3)、四氯化硅(SiCl4)氯硅烷混合液输入提纯塔的加料口,混合液经提纯塔下流至蒸馏釜;(2)、用热媒加热蒸馏釜至70℃~200℃,使三氯氢硅和四氯化硅的混合液体被蒸馏并产生汽化,蒸馏釜控制压力为0.15MPa~1.5MPa;(3)、从蒸馏釜排汽管出来的汽化蒸汽通过连接管进入提纯塔中,提纯塔内的操作温度为40~150℃,来自蒸馏釜的SiHCl3、SiCl4的混合蒸汽在提纯塔的各级筛板上进行热量与成份的交换与分离,沸点低的三氯氢硅组分在汽相中富集,沸点高的四氯化硅组分在液相中富集,经过多次部分汽化或部分冷凝,最终在汽相中得到易挥发、较纯的三氯氢硅汽化组分,在提纯塔中得到沸点高的四氯化硅组分;(4)、从提纯塔出来的三氯氢硅汽化组分通过导管进入塔顶水冷凝器,塔顶水冷凝器采用普通循环水冷却,三氯氢硅汽化组分经冷却,冷凝成液体,即沸点低的三氯氢硅液体;(5)、从蒸馏釜的排液管排出较难挥发的四氯化硅液体。
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〓疯子哥〓
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三氯氢硅是生产有机硅烷偶联剂的重要原料。用于有机硅烷和烷基、芳基以及有机官能团氯硅烷的合成,是有机硅烷偶联剂中最基本的单体,将三氯氢硅与氯乙烯或氯丙烯进行合成反应,再经精馏提纯,可得到乙烯基或丙烯基系列的硅烷偶联剂产品。三氯氢硅也是生产半导体硅、单晶硅的重要原料。

qiuhan2010
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