随着科学技术不断发展需要,科学家们在锗锂Ge(Li)、硅锂Si(Li)、高纯锗HPGe、金属面垒型等探测器的基础上研制出许多新型的半导体探测器,如硅微条、Pixel、CCD、硅漂移室等,并广泛应用在高能物理、天体物理、工业、安全检测、核医学、X光成像、军事等各个领域。世界各大高能物理实验室几乎都采用半导体探测器作为顶点探测器。美国费米实验室的CDF和D0(右上图),SLAC的B介子工厂的BaBar实验,西欧高能物理中心(CERN)LEP上的L3,ALEPH(左上图),DELPHI,OPAL,正在建造的质子-质子对撞机LHC上的ATLAS,CMS及日本的KEK,德国的HARA、HARB及Zeus等。ATLAS和CMS还采用了硅微条探测器代替漂移室作为径迹测量的径迹室。近些年高能物理领域所有新的物理成果,无不与这些高精度的具有优良性能的先进探测器密切相关。
丁肈中领导的AMS实验,目标是在宇宙线中寻找反物质和暗物质。它的探测器核心部分的径迹室采用了多层硅微条探测器(右图)。由美国、法国、意大利、日本、瑞典等参加的GLAST实验组的大面积γ射线太空望远镜的核心部分也使用了多层硅微条探测器(左图),总面积大于80平方米,主要用来作为γ→ e-+e+ 的对转换过程的径迹测量望远镜。硅微条探测器的位置分辨率可好于σ=1.4μm,这是任何气体探测器和闪烁探测器很难作到的。