主题:【讨论】背散射电子像对原子序数的敏感度

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蓝莓口香糖
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背散射电子像对原子序数更敏感一些,但是从实际使用上来说,大概多大的原子序数差别能体现出来?暂且不考虑高倍下信号噪音的影响。对样品制备有要求吗?是否抛光后结果更可信?
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yinsh1212
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有仪器公司的指标说是可以区分原子序数差异为0.1的不同相组成。
驰奔
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以下是我见过的罗宾逊背散射探测器指标。
性能指标
探测晶体类型:广交闪烁体、光电倍增器背散射式电子探头
信噪比:5:1  1PA ,8kv 二次电子图像信噪比,在加速电压15KV以上时(平坦无倾斜样品)
最小工作距离: 6mm
有效加速电压范围:3KV以上,也可以在1KV形成图像,增强的低电压性能可获得低至500v以下的图像。
空间分辨率:2nm  场发射扫描电镜 
            5nm  钨灯丝扫描电镜 
原子序数分辨率:0.003Z  在钨灯丝扫描电镜中,
                0.005Z  在场发射扫描电镜中
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2010/5/28 22:44:58 Last edit by srd2009
驰奔
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因为随着原子序数的增加,背散射电子反射率上升的斜率减小,因此随原子序数增加,原子序数反差降低。
我这里的数据:Al 和Si  原子序数反差为6.7%
            Pt 和Au  原子序数反差为0.41%
扫描电镜可以观察到的反差为0.1% 

因此我认为背散射探测器的指标 应该标识原子序数范围。
假如低原子序数分辨率为0.003z,那么到了高原子序数由于反差减小,再要求0.003Z显然不科学。

蓝莓口香糖
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背散射探头怎么还有空间分辨率这个指标?这不是应该只跟电镜本身有关的吗?
场发射枪的原子序数分辨率比钨灯丝差?我觉得不应该呀。
我猜测原子序数分辨率决定于探头的敏感度,这是个硬性指标,反映到反射产额曲线上就是纵轴上的产额差。只有这个差值大于某个界限的时候,图像上才会有变化。因为曲线斜率岁原子序数增大而减小,所以在高序数区,要得到同样的产额差,叙述变化就要更大,也就是能量分辨率会变差。从这个方向考虑,原子序数分辨率岁z增加是有道理的。
驰奔
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原文由 蓝莓口香糖(drizzlemiao) 发表:
背散射探头怎么还有空间分辨率这个指标?这不是应该只跟电镜本身有关的吗?
场发射枪的原子序数分辨率比钨灯丝差?我觉得不应该呀。
我猜测原子序数分辨率决定于探头的敏感度,这是个硬性指标,反映到反射产额曲线上就是纵轴上的产额差。只有这个差值大于某个界限的时候,图像上才会有变化。因为曲线斜率岁原子序数增大而减小,所以在高序数区,要得到同样的产额差,叙述变化就要更大,也就是能量分辨率会变差。从这个方向考虑,原子序数分辨率岁z增加是有道理的。


场发射原子序数分辨率比钨灯丝 原子序数分辨率差,确实符合逻辑。 场发射最大探针电流才多少?100-200nA。而钨灯丝最大探针电流都是1-3微安。
不考虑空间分辨率,越微小反差需要越大的电流。
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