原文由 xhglty 发表:
用得是Al K Alpha单色化光源啊,浸泡了有几年了
从你的描述看来,我想引起谱图变化的主要原因还是因为表面氧化层太厚,氧化物不导电导致的样品表面的荷电效应,引起谱图的偏移,且向高能端移动与荷电效应的偏移是一致的。尤其是采用单色化光源的时候,这种现象表现得更为明显。当然,不知道您的全谱中除C、Al、O外还有没有其他的元素的信号,如果有的话可以适当的考虑Al与其他元素形成的化合物,如果没有的话,更多的应该考虑荷电效应,也就是说高能端谱峰其实只是Al2O3荷电偏移,应该算是AlO3的信号,如果这样的话,建议楼主重新做一下这个实验,否则您的实验数据基本上没有说服力。如果在重复这个实验的时候,请实验员一定要进行电荷补偿,一般有单色化光源的设备上应该都有电荷补偿的。当然,如果您对表面物质还有什么异议的,您还可以辅助EDS对表面物质进行鉴定!