主题：【讨论】写个探测器的对照表吧

原文由 sartre 发表:
[呃。。。
你说的仪器是PIN探测器的？

原文由 h87711(h87711) 发表:
补充下PIN的的探测器确是能做Cu和Ni的。

原文由 shilei810924(shilei810924) 发表:

原文由 h87711(h87711) 发表:
补充下PIN的的探测器确是能做Cu和Ni的。

当然能做了，谱图解析开就可以了。补充一下，没有任何噪声的情况下，对Mn的K_α射线，室温附近硅的法诺因子取0.115，每产生一个电子空穴对所需要的平均能量取3.65eV,因此探测器的极限分辨率在117ev.因此115那是忽悠人的，最好的听说在123ev.

原文由 金水楼台先得月(albert800922) 发表:

原文由 shilei810924(shilei810924) 发表:

原文由 h87711(h87711) 发表:
补充下PIN的的探测器确是能做Cu和Ni的。

当然能做了，谱图解析开就可以了。补充一下，没有任何噪声的情况下，对Mn的K_α射线，室温附近硅的法诺因子取0.115，每产生一个电子空穴对所需要的平均能量取3.65eV,因此探测器的极限分辨率在117ev.因此115那是忽悠人的，最好的听说在123ev.

分辨率，能跟WDXRF对比一下吗

原文由 sartre(sartre) 发表:
同样是Si(Li)晶体的探测器仪器，如何选择？
主要是看晶体的面积，晶体面积越大，探测效率越高，灵敏度越高，性能越好，价格越贵。目前国际市场的上晶体面积从5mm2 8mm2,10mm2.,15mm2 30mm2……都有
一般认为15mm2以上的晶体为高灵敏度晶体。
同时需要注意分辨率指标，一般来说晶体面积越小，分辨率越好。晶体面积越大，分辨率数会越大。当分辨率满足170eV内时，应选择较大的晶体，已获得较好的灵敏度和分析效率。当然晶体面积与价格成正比。

SDD 晶体与Si(Li) 晶体在技术上有何不同？
SDD晶体技术是一种新的技术，出现在市场上约6-7年时间。
国内市场常见到的有晶体面积　5mm2 8mm2,10mm2
由于该晶体的厚度仅有0.3mm., 因此对高能端的元素探测器效率较低。而对低能端的元素具有较好的探测器效率。因此，该种晶体的探测器适用于11-29号Ka线范围和其它La线元素的分析。目前这种技术仍在完善中。一般常用于扫描电镜能谱仪上使用。在荧光能谱仪上不适合多元素同时分析的工作
Si(Li) 晶体具有较长时间的生产历史，（20世纪60年开始面试）具有稳定的性能，分析元素范围可达 4号Be -- 92号 U  晶体厚度达3mm以上。可满足高能端元素的分析要求。适合多元素同时分析要求
                Si(Li)晶体              丨      SDD 晶体
晶体面积    10mm2,15mm2,30mm2 50mm2  丨    5mm2    8mm2,10mm2,30mm2
晶体厚度                >3mm              丨        0.3mm
Mn Ka 分辨率        129-155eV              丨    149eV --165eV
Ka 分析元素范围        < 40 KeV        丨        < 10KeV
历史                  1968              丨            2002

SDD 与Si Pin 探测器有何区别？
SiPin 探测器通常用于低端荧光能谱仪或者便携式荧光能谱一种。由于其价格低廉，因此仪器造价较低。 适合单元素或少元素的分析
            SiPin晶体                  丨        SDD 晶体
晶体面积          5mm2 8mm2 10mm2,        丨      5mm2 8mm2,10mm,30mm2
晶体厚度              >0.3mm                丨        0.3mm
Mn Ka 分辨率        260eV                      149eV --165eV
Ka 分析元素范围        < 10 KeV                  丨        < 10KeV
历史                  2001              丨        2002
国际市场价格        2000USD-4000USD    丨        12000USD-20000USD
由于该探测器分辨率较差，因此不能分析相邻的元素，如Ni,Cu, Zn 不能同时分析

原文由 wusongxing(wusongxing) 发表:

原文由 sartre(sartre) 发表:
同样是Si(Li)晶体的探测器仪器，如何选择？
主要是看晶体的面积，晶体面积越大，探测效率越高，灵敏度越高，性能越好，价格越贵。目前国际市场的上晶体面积从5mm2 8mm2,10mm2.,15mm2 30mm2……都有
一般认为15mm2以上的晶体为高灵敏度晶体。
同时需要注意分辨率指标，一般来说晶体面积越小，分辨率越好。晶体面积越大，分辨率数会越大。当分辨率满足170eV内时，应选择较大的晶体，已获得较好的灵敏度和分析效率。当然晶体面积与价格成正比。

SDD 晶体与Si(Li) 晶体在技术上有何不同？
SDD晶体技术是一种新的技术，出现在市场上约6-7年时间。
国内市场常见到的有晶体面积　5mm2 8mm2,10mm2
由于该晶体的厚度仅有0.3mm., 因此对高能端的元素探测器效率较低。而对低能端的元素具有较好的探测器效率。因此，该种晶体的探测器适用于11-29号Ka线范围和其它La线元素的分析。目前这种技术仍在完善中。一般常用于扫描电镜能谱仪上使用。在荧光能谱仪上不适合多元素同时分析的工作
Si(Li) 晶体具有较长时间的生产历史，（20世纪60年开始面试）具有稳定的性能，分析元素范围可达 4号Be -- 92号 U  晶体厚度达3mm以上。可满足高能端元素的分析要求。适合多元素同时分析要求
                Si(Li)晶体              丨      SDD 晶体
晶体面积    10mm2,15mm2,30mm2 50mm2  丨    5mm2    8mm2,10mm2,30mm2
晶体厚度                >3mm              丨        0.3mm
Mn Ka 分辨率        129-155eV              丨    149eV --165eV
Ka 分析元素范围        < 40 KeV        丨        < 10KeV
历史                  1968              丨            2002

SDD 与Si Pin 探测器有何区别？
SiPin 探测器通常用于低端荧光能谱仪或者便携式荧光能谱一种。由于其价格低廉，因此仪器造价较低。 适合单元素或少元素的分析
            SiPin晶体                  丨        SDD 晶体
晶体面积          5mm2 8mm2 10mm2,        丨      5mm2 8mm2,10mm,30mm2
晶体厚度              >0.3mm                丨        0.3mm
Mn Ka 分辨率        260eV                      149eV --165eV
Ka 分析元素范围        < 10 KeV                  丨        < 10KeV
历史                  2001              丨        2002
国际市场价格        2000USD-4000USD    丨        12000USD-20000USD
由于该探测器分辨率较差，因此不能分析相邻的元素，如Ni,Cu, Zn 不能同时分析