原文由 cps_perfect 发表:
ICP的趋附效应跟RF的频率成正相关吧,频率越高,在等离子体的表面的电流密度越大,越容易形成中央气压比较低的中央通道,这样样品随载气在通道内的停留时间更长,越有利于待测元素的激发!也就是说灵敏度越高吧。
原文由 shaweinan 发表:原文由 cps_perfect 发表:
ICP的趋附效应跟RF的频率成正相关吧,频率越高,在等离子体的表面的电流密度越大,越容易形成中央气压比较低的中央通道,这样样品随载气在通道内的停留时间更长,越有利于待测元素的激发!也就是说灵敏度越高吧。
交流电通过导体时,各部分的电流密度不均匀,导体内部电流密度小,导体表面电流密度大,这种现象称为趋肤效应。产生趋肤效应的原因是由于感抗的作用,导体内部比表面具有更大的电感L,因此对交流电的阻碍作用大,使得电流密集于导体表面。趋肤效应使得导体的有效横截面减小,因而使导体对交流电的有效电阻比对直流电的电阻大。交流电的频率越高,趋肤效应越显著,频率高到一定程度,可以认为电流完全从导体表面流过。因此在高频交流电路中,必须考虑趋肤效应的影响。
炬管中央气压比较低主要是由于外气流的切向引如所形成的旋转气流造成的(很像龙卷风的作用)。中央气压低了,就比较容易形成中央通道。中央气压越低,在同样的内气流气体流量下,载气在出内管后的速度就越快,分析物在等离子体中停留的时间应该就越短。
原文由 wht0518 发表:原文由 shaweinan 发表:原文由 cps_perfect 发表:
ICP的趋附效应跟RF的频率成正相关吧,频率越高,在等离子体的表面的电流密度越大,越容易形成中央气压比较低的中央通道,这样样品随载气在通道内的停留时间更长,越有利于待测元素的激发!也就是说灵敏度越高吧。
交流电通过导体时,各部分的电流密度不均匀,导体内部电流密度小,导体表面电流密度大,这种现象称为趋肤效应。产生趋肤效应的原因是由于感抗的作用,导体内部比表面具有更大的电感L,因此对交流电的阻碍作用大,使得电流密集于导体表面。趋肤效应使得导体的有效横截面减小,因而使导体对交流电的有效电阻比对直流电的电阻大。交流电的频率越高,趋肤效应越显著,频率高到一定程度,可以认为电流完全从导体表面流过。因此在高频交流电路中,必须考虑趋肤效应的影响。
炬管中央气压比较低主要是由于外气流的切向引如所形成的旋转气流造成的(很像龙卷风的作用)。中央气压低了,就比较容易形成中央通道。中央气压越低,在同样的内气流气体流量下,载气在出内管后的速度就越快,分析物在等离子体中停留的时间应该就越短。
我是来学习的看到
上面两家说的有一些冲突不知道信谁了,趋肤效应到底是有利还是有弊?趋肤效应大是提高灵敏度还是降低灵敏度啊?
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ICP的趋附效应跟RF的频率成正相关吧,频率越高,在等离子体的表面的电流密度越大,越容易形成中央气压比较低的中央通道,这样样品随载气在通道内的停留时间更长,越有利于待测元素的激发!也就是说灵敏度越高吧。
交流电通过导体时,各部分的电流密度不均匀,导体内部电流密度小,导体表面电流密度大,这种现象称为趋肤效应。产生趋肤效应的原因是由于感抗的作用,导体内部比表面具有更大的电感L,因此对交流电的阻碍作用大,使得电流密集于导体表面。趋肤效应使得导体的有效横截面减小,因而使导体对交流电的有效电阻比对直流电的电阻大。交流电的频率越高,趋肤效应越显著,频率高到一定程度,可以认为电流完全从导体表面流过。因此在高频交流电路中,必须考虑趋肤效应的影响。
炬管中央气压比较低主要是由于外气流的切向引如所形成的旋转气流造成的(很像龙卷风的作用)。中央气压低了,就比较容易形成中央通道。中央气压越低,在同样的内气流气体流量下,载气在出内管后的速度就越快,分析物在等离子体中停留的时间应该就越短。
我是来学习的看到
上面两家说的有一些冲突不知道信谁了,趋肤效应到底是有利还是有弊?趋肤效应大是提高灵敏度还是降低灵敏度啊?
原文由 chemistryren 发表:原文由 wht0518 发表:原文由 shaweinan 发表:原文由 cps_perfect 发表:
ICP的趋附效应跟RF的频率成正相关吧,频率越高,在等离子体的表面的电流密度越大,越容易形成中央气压比较低的中央通道,这样样品随载气在通道内的停留时间更长,越有利于待测元素的激发!也就是说灵敏度越高吧。
交流电通过导体时,各部分的电流密度不均匀,导体内部电流密度小,导体表面电流密度大,这种现象称为趋肤效应。产生趋肤效应的原因是由于感抗的作用,导体内部比表面具有更大的电感L,因此对交流电的阻碍作用大,使得电流密集于导体表面。趋肤效应使得导体的有效横截面减小,因而使导体对交流电的有效电阻比对直流电的电阻大。交流电的频率越高,趋肤效应越显著,频率高到一定程度,可以认为电流完全从导体表面流过。因此在高频交流电路中,必须考虑趋肤效应的影响。
炬管中央气压比较低主要是由于外气流的切向引如所形成的旋转气流造成的(很像龙卷风的作用)。中央气压低了,就比较容易形成中央通道。中央气压越低,在同样的内气流气体流量下,载气在出内管后的速度就越快,分析物在等离子体中停留的时间应该就越短。
我是来学习的看到
上面两家说的有一些冲突不知道信谁了,趋肤效应到底是有利还是有弊?趋肤效应大是提高灵敏度还是降低灵敏度啊?
我觉得趋肤效应越强越有利.
原文由 cps_perfect 发表:
ICP的趋附效应跟RF的频率成正相关吧,频率越高,在等离子体的表面的电流密度越大,越容易形成中央气压比较低的中央通道,这样样品随载气在通道内的停留时间更长,越有利于待测元素的激发!也就是说灵敏度越高吧。
原文由 shaweinan 发表:
交流电通过导体时,各部分的电流密度不均匀,导体内部电流密度小,导体表面电流密度大,这种现象称为趋肤效应。产生趋肤效应的原因是由于感抗的作用,导体内部比表面具有更大的电感L,因此对交流电的阻碍作用大,使得电流密集于导体表面。趋肤效应使得导体的有效横截面减小,因而使导体对交流电的有效电阻比对直流电的电阻大。交流电的频率越高,趋肤效应越显著,频率高到一定程度,可以认为电流完全从导体表面流过。因此在高频交流电路中,必须考虑趋肤效应的影响。
炬管中央气压比较低主要是由于外气流的切向引如所形成的旋转气流造成的(很像龙卷风的作用)。中央气压低了,就比较容易形成中央通道。中央气压越低,在同样的内气流气体流量下,载气在出内管后的速度就越快,分析物在等离子体中停留的时间应该就越短。
原文由 wht0518 发表:
我是来学习的,看到上面两家说的有一些冲突不知道信谁了,趋肤效应到底是有利还是有弊?趋肤效应大是提高灵敏度还是降低灵敏度啊?
原文由 chemistryren 发表:
我觉得趋肤效应越强越有利。
原文由 wht0518 发表:
在我的印象中是有利的。但是看上面的说的都很有道理,所以不知道有没有高人给解释一下。