主题:【求助】关于薄膜断面透镜分析

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yongchen1222
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本人在透镜断面分析方面遇到一些问题,想向各位前辈请教一下。下面的几幅图片都是同一个样品的断面分析照片,不知道该怎么分析,希望能够得到各位前辈的指点。谢谢。
    该样品是在蓝宝石衬底上生长的GaN薄膜,其中含有超晶格结构。在图片“001”里面,请问“A”“B”“C”“D”分别代表什么层?“B”是不是样品的最外层薄膜?“C”是不是超晶格结构层?“D”是不是里面的一层薄膜?在该图片中,衬底蓝宝石是不是没有显示出来?




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arlibb
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你样品的厚度?制样方法?
还有各个图片与第一幅图的对应关系?
yongchen1222
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原文由 arlibb 发表:
你样品的厚度?制样方法?
还有各个图片与第一幅图的对应关系?


样品厚度具体我也不是很清楚,估计应该在微米量级,制样方法应该是机械减薄之后再离子减薄。第二幅图是第一副图的较低倍数的图片,第三幅图是第一副图的"C"区的放大部分,第三幅图是“C”区的高分辨。
arlibb
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最外层A有可能是粘样品的胶吧?
C看样子像超晶格;

对你的材料不是很了解,所以也不能给出结论
建议以后再拍电镜照片的时候想好目的,比如得到第一幅图以后,对A、B、C、D的成分及结构有些疑惑,可以分别再对他们做高分辨或者能谱分析,这样以后分析起来也容易并且能确定些
蓝莓口香糖
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至少要给出标尺,另外标明各图之间的相对关系。还有就是得到各图的实验条件。
pocohe
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试样太厚, damage也很大. 应该试着用离子减薄仪在打一打(低电压和电流).
yongchen1222
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原文由 drizzlemiao 发表:
至少要给出标尺,另外标明各图之间的相对关系。还有就是得到各图的实验条件。


标尺在图中给出了,在图的左下角,可能在这个图片上不是很清楚,前两个图的标尺为500nm,第三个为200nm,第四个图的标尺为50nm。
ggg085
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从衬度上看,A的最下层稍微深色区为薄膜,BCD均为衬底。样品做的还可以
newaero
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关键是样制得不是很清楚,用离子束垂直打一下看能不能增加一点反差。
michaelzing
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以我的经验:

A 对粘胶(TEM样品制备时涂抹)
B p-GaN
C 有源区(也即活性区,由宽的“多量子阱”和窄的“超晶格”插层组成)
D n-GaN

衬底应该没在图中出现

另外 这个样品区域不薄啊,高分辨估计够呛。
yy3579
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我觉得应该是这样:
A——对粘胶
B——量子阱有源区
C——布拉格反射层
D——衬底
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