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原文由 aiwa54 发表:
尊敬的nemoium（nemoium）先生您好，我是仪器信息网会员aiwa54，对于CCD和CID很感兴趣，
请问：一些进口的ICP-OES中一些用的CCD检测器（如：PE、瓦里安），一些用的是CID检测器（如：利曼，热电）。这两种检测器在ICP-OES中有什么优缺点，哪种更好一些呢？
原文由 shuiqi 发表:
尊敬的nemoium（nemoium）先生您好，我是仪器信息网会员shuiqi，对于本讲座很感兴趣，
请问：光度计的发展方向是微型化、自动化和便携式，那么在检测器这块那种检测器的优势更大，为什么？
原文由 nemoium 发表:
非常好的话题，不过我的知识水平有限，我就随便说说。
根据CID的工作原理，它的噪声可以做的很小，灵敏度上可以比CCD的高一个数量级，更适合于弱光检测。
PDA的，有比CCD更高的抗饱和能力。
CMOS的是成本低，能耗小，但它的成像质量比CCD的要差。
从应用领域来看。
PDA的，貌似在分光上用的比较多。
CCD的，在高档分光和原子吸收上用的比较多。
CID的，以前还没见过，好像在ICP上有应用。
CMOS的，一般应用于消费电子上，比如手机等对成像质量要求不高的。
要说优势。。。，我觉得CMOS的，可能会突发猛进。。。。完全是直觉。
原文由 nemoium 发表:
在邓勃老师著的《原子吸收光谱分析的原理、技术和应用》上，是这么说的
1.CID的信噪比优于CCD的。CCD是破坏性读出方式，CID是非破坏性读出方式，也由于CID的非破坏性读出方式，使的光感应的电荷可以在检测单元内进行n次反复转移测量，使得噪声N降低的到N除以n的平方根，改善了信噪比。
2.CID灵敏度高于CCD。CID的灵敏度比CCD的高一个数量级，更适合于弱光的检测。
3.CID的抗电晕能力强于CCD的。CID具有较强的抗电晕能力，离开强光两三个检测单元的信号几乎等于背景信号。
这么看是CID优于CCD的。
CCD和CID的共同特点是：峰值量子效率高达80%；灵敏度高；光谱相应范围宽（165nm~1100nm）；可靠性高；响应速度快，可用于瞬态反应的光谱研究；线性动态范围宽达10的五次方到10的7次方；积分型动态存取器，暗电流正比于辐照时间；对温度敏感，需要在低温下工作，CCD可在-150度的低温下工作。CID可在更低的温度下工作，暗电流可以忽略不计，噪声低；适合于弱光检测。
原文由 tutm 发表:
请问：Cary50，在做动力学时，可同时采集6个波长的吸光度，但是这6个点一次采集需要多长时间？有没有每次采集更多指定波长点的仪器呢？（比如在2-5秒钟内10-30个点。不要全波长范围的，采集点太多数据处理麻烦）
原文由 shaweinan 发表:
邓勃老师著的《原子吸收光谱分析的原理、技术和应用》是什么时候出版的？我前一两年看的资料，现在热电仪器上用的比较新的CID检测器的量子效率高达最高也就百分之六十多，而之前采用背照式的CCD却可以达到90%。而且现在的仪器CCD很多工作在摄氏负三十多度，有的已经比较接近零度了，可CID热电仪器基本上还在在摄氏负四十度的水平。您能提供看到的比较新的资料吗？
原文由 spain 发表:
单波长下，最小的采样间隔是12.5毫秒。
多波长下，取决于波长之间的距离和每个波长处一次采样时间。假设在500nm、525nm、550nm、575nm、600nm这5个波长下，每个波长一次采样时间12.5毫秒，实测结果：2分钟内在上述任一波长处可以采集约85个数据。
后一个问题我也不太清楚，如果是要快速全波长，还是用二极管阵列的好，Excel删除那些不要的数据还是很快的吧。
呵呵，实在不行雇我来给你删。。。
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