主题:【讨论】多原子离子是怎么形成的??

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多原子离子是怎么形成的??
多原子干扰应该是困惑ICP-MS和大家的难题了?
C、H、N、O这几个元素则是元凶了,
请问为什么会形成多原子离子干扰,是因为icp的高温条件使他们
之间发生结合吗???
另外这几种元素在icp焰里电离了吗??

希望得到指点!!
推荐答案:kiwi-kids回复于2009/03/20


我感觉多数干扰应该是在ICP中形成的,N O 这样的非金属元素在ICP中心通道中电离比例很小,但是ICP的外焰的氩离子数量很多,在传输中发生氩离子与非金属的原子的结合, 形成多原子离子干扰。

但是其它的一些干扰,比如环境样品中的ArNa的干扰,应该是Na离子与Ar原子结合的产物,有可能在更低温度的区域(例如锥口区域等等)

还有一些金属氧化物干扰,一部分是ICP中没有完全电离或者从新结合,还有一部分是在锥口处的二次电离产物。

不知道说的对不对
补充答案:

chauchylan回复于2009/04/11

看了些ICP-MS书,似乎多原子产生的途径主要有两种,
1 由于等子体与工作线圈存在电容耦合
2 在Skimmer cone 后存在二次放电
这种认识似乎已达成共识..

yzyxq回复于2009/03/24


我觉得这个讲法是对。
多原子离子的产生本身概率很小,只是产生多原子离子的量比检测水平高很多,所以即使产生的概率很低,产生的量也会对低水平测量产生影响。

ICP-MS教程往往很强调这类干扰,但事实上,我觉得指示在食品行业,这类干扰并不大,改善前处理,优化参数,一般都可以降低到一个可以忽略的水平。乱用干扰方程往往画蛇添足。

lilongfei14回复于2009/03/21

一般认为,多原子离子并不存在于等离子体本身中,而是在离子的引出过程中,由等离子体中的组分与基体或大气中的组分互相作用而形成。

wjf318回复于2009/04/22


高温使元素电离,但是这个电离是相对的,只是达到一个电离平衡而已,一部分电离的同时,另一部分又重新碰撞结合,一般形成双原子或离子的机会大,三个及以上的机会很少,可以忽略

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原文由 songshiqiu 发表:
多原子离子是怎么形成的??
多原子干扰应该是困惑ICP-MS和大家的难题了?
C、H、N、O这几个元素则是元凶了,
请问为什么会形成多原子离子干扰,是因为icp的高温条件使他们
之间发生结合吗???
另外这几种元素在icp焰里电离了吗??
希望得到指点!!

ICP的炬温可以达到6000度以上,这些元素肯定是离子化的了,关键要考虑预先的样品处理。有时基体改进也是一种方法。
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原文由 hutian02 发表:
没有太研究过,希望那位大虾详细的解释下。


我感觉多数干扰应该是在ICP中形成的,N O 这样的非金属元素在ICP中心通道中电离比例很小,但是ICP的外焰的氩离子数量很多,在传输中发生氩离子与非金属的原子的结合, 形成多原子离子干扰。

但是其它的一些干扰,比如环境样品中的ArNa的干扰,应该是Na离子与Ar原子结合的产物,有可能在更低温度的区域(例如锥口区域等等)

还有一些金属氧化物干扰,一部分是ICP中没有完全电离或者从新结合,还有一部分是在锥口处的二次电离产物。

不知道说的对不对
liaoyunan
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这些问题还是比较复杂,我现在也遇到测定铬这问题,不知道是CaC还是ArC干扰,测得铬含量比较高!没有去学习过,还不知道怎么用校正方程去校正!
lilongfei14
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一般认为,多原子离子并不存在于等离子体本身中,而是在离子的引出过程中,由等离子体中的组分与基体或大气中的组分互相作用而形成。
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liusy
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干扰的形成,或许与你所选用的介质有关,如HCL对ICP-MS来说就不是什么好的试剂,会引起许多的干扰,以至于干扰方程对其也无可奈何.
yzyxq
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原文由 lilongfei14 发表:
一般认为,多原子离子并不存在于等离子体本身中,而是在离子的引出过程中,由等离子体中的组分与基体或大气中的组分互相作用而形成。

我觉得这个讲法是对。
多原子离子的产生本身概率很小,只是产生多原子离子的量比检测水平高很多,所以即使产生的概率很低,产生的量也会对低水平测量产生影响。

ICP-MS教程往往很强调这类干扰,但事实上,我觉得指示在食品行业,这类干扰并不大,改善前处理,优化参数,一般都可以降低到一个可以忽略的水平。乱用干扰方程往往画蛇添足。
nan5460
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1.未发生分解的分子发生电离
2.组分相结合生成新的离子
chauchylan
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看了些ICP-MS书,似乎多原子产生的途径主要有两种,
1 由于等子体与工作线圈存在电容耦合
2 在Skimmer cone 后存在二次放电
这种认识似乎已达成共识..
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