原文由 sem_kuangren 发表:
最近我们老师调研FEI的Quanta场发射电镜Quanta650的标准分辨率为
1nm @30kV 3nm @1kV
老师提出低的加速电压下(5kV下)要达到2nm(要做某项研究), FEI的销售人员说他们Quanta650在2kV下的分辨率可达到2nm.
大家来评评, 我觉得有点可笑之极. 1nm---30kV 2nm----2kV 3nm----1kV ??? 而且又没有什么减速模式之类的, 公司的信誉在哪里呢.
原文由 sem_kuangren 发表:
最近我们老师调研FEI的Quanta场发射电镜Quanta650的标准分辨率为
1nm @30kV 3nm @1kV
老师提出低的加速电压下(5kV下)要达到2nm(要做某项研究), FEI的销售人员说他们Quanta650在2kV下的分辨率可达到2nm.
大家来评评, 我觉得有点可笑之极. 1nm---30kV 2nm----2kV 3nm----1kV ??? 而且又没有什么减速模式之类的, 公司的信誉在哪里呢.
原文由 srd2009 发表:原文由 sem_kuangren 发表:
最近我们老师调研FEI的Quanta场发射电镜Quanta650的标准分辨率为
1nm @30kV 3nm @1kV
老师提出低的加速电压下(5kV下)要达到2nm(要做某项研究), FEI的销售人员说他们Quanta650在2kV下的分辨率可达到2nm.
大家来评评, 我觉得有点可笑之极. 1nm---30kV 2nm----2kV 3nm----1kV ??? 而且又没有什么减速模式之类的, 公司的信誉在哪里呢.
我没觉得可笑,反倒被你的这种情绪逗乐了!
不要迷信什么减速模式技术,对于顶级专家来说都是小儿科!很多都是市场宣传噱头,大家心知肚明,蒙的是第三世界你我!
原文由 srd2009 发表:
我可笑的是Quanta没有减速模式搞的1kV 3nm, 到2kV马上就可以到2nm
本人不是非常懂电镜, 但从原理上觉得FEI在欺骗我
------------
我认为是可以信任的,只不过没有标注这个指标!
目前钨灯丝扫描3KV,8nm,这个8nm首先是日立提出的,搞一个什么4偏压,其实偏压是可调的,可以无级调的。从技术上实现不是很难,日立突然提出个自动四偏压,把人们搞一愣,完全是市场角度的考量的小概念创新!钨灯丝低加速电压,高亮度是损失电子枪寿命的。
钨灯丝亮度比场发射亮度低100倍,3KV都可以达到8nm,那么场发射3kv达到多事呢?
原文由 lala2003 发表:原文由 srd2009 发表:
我可笑的是Quanta没有减速模式搞的1kV 3nm, 到2kV马上就可以到2nm
本人不是非常懂电镜, 但从原理上觉得FEI在欺骗我
------------
我认为是可以信任的,只不过没有标注这个指标!
目前钨灯丝扫描3KV,8nm,这个8nm首先是日立提出的,搞一个什么4偏压,其实偏压是可调的,可以无级调的。从技术上实现不是很难,日立突然提出个自动四偏压,把人们搞一愣,完全是市场角度的考量的小概念创新!钨灯丝低加速电压,高亮度是损失电子枪寿命的。
钨灯丝亮度比场发射亮度低100倍,3KV都可以达到8nm,那么场发射3kv达到多事呢?
哈哈
钨灯丝3kV 8nm是日本电子的吧
这下估计这个帖子热闹了
不过FEI Quanta钨灯丝 30kV 3nm, Quanta 场发射 30kV 1nm, 差2nm
那Quanta钨灯丝 3kV应该不是8nm吧, 应该是10nm以上, 那场发射呢不说2kV了就算如果3kV能达到2nm, 这之间差8nm? 楼上的是不是都没有一点逻辑思想呢?
我觉得有点蒙人, 30kV 1nm, 1kV 3nm, 2kV 2nm, 在中间2kV到30kV才走了1nm? 这还是电镜吗? 而且又没有什么模式.
原文由 srd2009 发表:原文由 lala2003 发表:原文由 srd2009 发表:
我可笑的是Quanta没有减速模式搞的1kV 3nm, 到2kV马上就可以到2nm
本人不是非常懂电镜, 但从原理上觉得FEI在欺骗我
------------
我认为是可以信任的,只不过没有标注这个指标!
目前钨灯丝扫描3KV,8nm,这个8nm首先是日立提出的,搞一个什么4偏压,其实偏压是可调的,可以无级调的。从技术上实现不是很难,日立突然提出个自动四偏压,把人们搞一愣,完全是市场角度的考量的小概念创新!钨灯丝低加速电压,高亮度是损失电子枪寿命的。
钨灯丝亮度比场发射亮度低100倍,3KV都可以达到8nm,那么场发射3kv达到多事呢?
哈哈
钨灯丝3kV 8nm是日本电子的吧
这下估计这个帖子热闹了
不过FEI Quanta钨灯丝 30kV 3nm, Quanta 场发射 30kV 1nm, 差2nm
那Quanta钨灯丝 3kV应该不是8nm吧, 应该是10nm以上, 那场发射呢不说2kV了就算如果3kV能达到2nm, 这之间差8nm? 楼上的是不是都没有一点逻辑思想呢?
我觉得有点蒙人, 30kV 1nm, 1kV 3nm, 2kV 2nm, 在中间2kV到30kV才走了1nm? 这还是电镜吗? 而且又没有什么模式.
看表面是看不出问题的,日立创造了四偏压概念,日本电子发挥到登峰造极,你说你的四偏压,我说我的指标,而且钨灯还加个一个1kv指标。
至于逻辑思想,要有理论基础才可以分析!中国人缺乏逻辑,就像您和楼主一样,一点理论基础不具备也没有实践经验就敢在那里瞎推理。
结论不但谬误,而且贻笑大方!