主题:【求助】求SEMI半导体标准(含硅材料工艺控制标准和材料标准)

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laidekeai
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序号    标准号                     标准名称   
1    SEMI MS1-0306           晶片结合对准标线规范指南   
2    SEMI MF 2166-0304    通过使用特殊参考晶片监控非接触式电介质评定系统的方法   
3    SEMI MF 2139-1103    采用二次离子质谱法测量硅衬底上氮浓度的方法   
4    SEMI MF 2074-1103    硅及其他半导体材料晶片直径的测量方法指南   
5    SEMI MF 1982-1103    热解吸附气相色谱法评估硅片表面有机污染物的方法   
6    SEMI MF1811-0704    从表面轮廓数据估计功谱密度和相关加工参数的指南   
7    SEMI MF 1810-0304    用于记录硅片择优腐蚀和加工表面缺陷的方法   
8    SEMI MF 1809-0704    表征硅中结构缺陷的腐蚀溶液的选择和使用指南   
9    SEMI MF 1771-0304    通过电压斜线上升技术评估栅极氧完整性的方法   
10    SEMI MF 1763-0706    线性偏光镜测试方法   
11    SEMI MF 1727-0304    硅抛光片表面氧化诱生缺陷的检测方法   
12    SEMI MF 1726-1103    硅片结晶学完整性分析规程   
13    SEMI MF 1725-1103    硅锭结晶学完整性的分析方法   
14    SEMI MF 1724-1104    采用酸萃取-原子吸收光谱法测量多晶硅表面金属沾污   
15    SEMI MF 1723-1104    通过漂移区生长和光谱法评价多晶硅棒的方法   
16    SEMI MF 1708-1104    用区融和光谱分析仪评定粒状多晶硅的规程   
17    SEMI MF 1630-0704    单晶硅Ⅲ-Ⅴ级杂质的低温FT-IR分析测试方法   
18    SEMI MF 1619-1105    以布鲁斯特角入射P偏振辐射红外吸收光谱法测量硅片中间隙氧含量   
19    SEMI MF 1618-1104    硅晶片薄膜的不均匀性判定规程   
20    SEMI MF 1617-0304    二次离子质谱法测定硅和硅外延衬底表面上钠、铝和钾


序号    标准号    标准名称    所属委员会/卷号
21    SEMI MF 1569-0705    半导体技术用统一参考材料的形成指南   
22    SEMI MF 1535-1106    用微波反射非接触光电导衰减方法测试硅晶片载流子复合寿命的方法   
23    SEMI MF 1530-1105    用非接触自动扫描法测量硅片平整度、厚度和厚度变化的试验方法   
24    SEMI MF 1529-1104    用双配置程序的一列式四点探针法评定薄板阻抗不均匀性的方法   
25    SEMI MF 1528-1104    用二次离子质谱法测量重搀杂N型硅衬底中的硼污染的方法   
26    SEMI MF 1527-1104    用于硅电阻测量仪器校准和控制的参考材料和参考晶片的使用指南   
27    SEMI MF 1451-1104    用自动无接触扫描法测量硅片峰谷差的方法   
28    SEMI MF 1392-1103    用带汞探针的容量-电压测量器测定硅晶片中净载流子密度分布的测试方法   
29    SEMI MF 1391-0704    红外吸收法测试硅中替位碳原子含量   
30    SEMI MF 1390-1104    自动非接触式扫描法测量硅晶片翘曲度的测试方法   
31    SEMI MF 1389-0704    Ⅲ-Ⅴ号混杂物中对单晶体硅的光致发光分析的测试方法   
32    SEMI MF 1388-1106    用金属-氧化物-硅电容器容量-时间(C-T)法测定硅材料产生寿命 和生产速度的试验方法   
33    SEMI MF 1366-0305    用二次离子质谱法测量重掺杂硅衬底中氧含量的方法   
34    SEMI MF 1239-0305    用测量间隙氧减少方法测试硅晶片的氧析出特性   
35    SEMI MF 1188-1105    用短基线红外吸收法测试硅中间隙原子氧含量   
36    SEMI MF 1153-1106    用电容-电压测量法对硅金属氧化物结构特性的试验方法   
37    SEMI MF 1152-0305    硅片刻槽尺寸的测试方法   
38    SEMI MF 1049-0304    硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法   
39    SEMI MF1048-1105    测量全反射集成分散器的方法   
40    SEMI MF 978-1106    采用瞬时电容法标示深能级半导体实验方法


序号    标准号    标准名称    所属委员会/卷号
41    SEMI MF 951-0305    测量硅片间隙氧径向变化的试验方法   
42    SEMI MF 950-1106    用角抛光和疵点侵蚀加工法测量机械加工硅片表面晶体损坏深度的试验方法   
43    SEMI MF 928-0305    圆形半导体晶片及硬性磁盘基片的边缘轮廓的试验方法   
44    SEMI MF 847-0705    用X射线技术测量硅单晶片上的参考面结晶取向的方法   
45    SEMI MF 728-1106    尺寸测量用光学显微镜预置规范   
46    SEMI MF 723-1105    掺硼、掺磷和掺砷硅片的电阻率与掺杂剂浓度的换算惯例   
47    SEMI MF 674-0705    扩展电阻测量用硅的制备   
48    SEMI MF 673-1105    用非接触式涡流标尺测量半导体晶片电阻率或半导体薄膜薄层电阻的方法   
49    SEMI MF 672-0706    用扩展电阻探针测量硅晶片垂直于纵断面表面的电阻率的方法   
50    SEMI MF 671-0705    硅晶片及其他电子材料的参考面长度测量方法   
51    SEMI MF 657-0705    用非接触扫描法测量硅片的翘曲度及总厚度变化的试验方法   
52    SEMI MF 576-0706    用椭圆对称法测量硅衬底上绝缘体厚度及折射指数的试验方法   
53    SEMI MF 534-9796    硅片的弯曲度测试方法   
54    SEMI MF 533-0706    硅片厚度及厚度变化的测试方法   
55    SEMI MF 525-0705    用扩展电阻探针测量硅片电阻率的方法   
56    SEMI MF 523-0706    硅抛光片的目检规程   
57    SEMI MF 397-1106    用二探针法测定硅棒电阻率的标准方法   
58    SEMI MF 391-1106    通过测量稳态硅表面光致电压确定硅中少数载流子扩散长度的试验方法   
59    SEMI M F 374-1105    用直排四探针法测试硅外延层、扩散层、多晶硅和离子注入层的薄层电阻的试验方法   
60    SEMI MF 154-1105    鉴别镜面状硅片表面观察到的结构和沾污的指南


序号    标准号    标准名称    所属委员会/卷号
61    SEMI MF 110-1105    用磨角和染色技术测定硅外延层或扩散层厚度的试验方法   
62    SEMI MF 95-1105    用红外线反射法测定重掺杂硅衬底上轻掺杂硅外延层厚度的试验方法   
63    SEMI MF 84-1105    用直排四探针法测量硅片电阻率的试验方法   
64    SEMI MF 81-1105    硅片径向电阻率变化测量方法   
65    SEMI MF 43-0705    半导体材料电阻率试验方法   
66    SEMI MF 42-1105    掺杂半导体材料导电类型试验方法   
67    SEMI MF 28-1106    光电导衰减测量法测定大块锗和硅中少数载流子寿命的方法   
68    SEMI MF 26-0305    测定半导体单晶体取向的方法   
69    SEMI ME1392-3005    在表面反射或散射的角分辨光散射测量指南
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万分感谢楼上,就是不知道可有下载的地方或是书啊?
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