主题:【讨论】你的ICP/ICP-MS想要提高检测限吗?

浏览0 回复28 电梯直达
anhwei
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原文由 小光(xsh1234567) 发表:
请教lz一个问题:
这个膜去溶装置介绍了这么多的性能,为什么就少了个“记忆效应”的性能。很想了解下这个装置对硼、汞等一类容易造成记忆效应元素的冲洗能力。毕竟,加了这个装置,管路长了不少,这个问题无法忽视。


传两个应用文献,供参考!
光哥
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原文由 anhwei(anhwei) 发表:
原文由 小光(xsh1234567) 发表:
请教lz一个问题:
这个膜去溶装置介绍了这么多的性能,为什么就少了个“记忆效应”的性能。很想了解下这个装置对硼、汞等一类容易造成记忆效应元素的冲洗能力。毕竟,加了这个装置,管路长了不少,这个问题无法忽视。


传两个应用文献,供参考!


非常感谢LZ的悉心解答,遗憾的是,这2篇文章似乎也没谈到我们所关心的问题。
zhangyingfu138
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炬管位置,载气和补偿气的流量,RF的电压大小,积分时间(长点会提高点,10s后增幅较小)等都有关。
junhuahao
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关于检测限,大家都是怎么报出数据的呀?我是3倍标准偏差定位仪器的检测限,3倍仪器检测限定为测定限,再乘以样品的稀释倍数定为方法检出限
999youran
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qianghua_ustc1
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小雨纷纷
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sunmei
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