原文由 haodou000(haodou000) 发表:
第四部分讨论:
检测器:
1.光电倍增管PMT;信号放大系统,主要用于顺序扫描的检测器,一个光电倍增管一次暴光只能检测“一条”谱线,无法“同时”测定分析线和背景的强度、
分析线的强度,
2.紫外高灵敏度CCD线阵检测器;电荷耦合器件CCD:是将电荷在检测单元之间逐个转移到一个具有电荷感应放
大器的检测单元上进行读出,每个检测单元之间不是相互独立的,其具有较高的量子效率
和光谱响应范围。因栅极对光的有强烈的吸收,因此一般采用背照射式,当有强光照射到
局部CCD 时存在电荷溢出现象,一般依靠信号处理电路来解决检测器的溢出问题,属于
破坏性读出。而分段耦合器件SCD也属于电荷耦合器件一种改进,主要是为减少CCD转
移电荷所需要的历程,通过独立设计,解决了CCD全部读出的缺点,SCD段与段之间无
溢出现象,但不能解决段内溢出现象,当然目前所有公司采用的CCD 检测器都是经过自
己特殊设计的,比如:VARIAN 的ICP 720 以上系列使用的CCD,具有很高的数据读取
速度和抗溢出设计,并且也能够进行摄谱、光谱指纹分析。因此CCD 做为ICP 检测器已
经是非常成熟的工艺。
CCD检测器在ICP上的确十分普遍,但是这类半导体元件的检测器会随着温度的增加而增大电噪声,所以ICP中用的CCD类检测器都有冷却,一般都要冷到零下。一直有个疑问,就是原子吸收中用的CCD检测器有冷却装置吗?如果没有,如何避免CCD的电噪声呢?
原文由 luxw-卢(luxw) 发表:原文由 ghcily(ghcily) 发表:原文由 iamquan(iamquan) 发表:
3. 连续光源:高聚焦短弧氙灯。(无需背景校正)
现在是否很少的仪器能达到呢?
好像耶那是最早用这种光源的吧。
上次咨询pe的,还不是。是不是技术要求比较高?还是华而不实啊?
原文由 wccd(wccd) 发表:
第四部分讨论:
检测器:
1.光电倍增管PMT;
2.紫外高灵敏度CCD线阵检测器;
3.全谱高灵敏度阵列式多象素点专用固态检测器(低噪声 CMOS电荷放大器阵列)。
光源:
1. 空心阴极灯:辉光放电灯。火焰法(乙炔混合气燃烧),石墨炉法(瞬时低压大电流,温度剧升);
2. 连续光源:高聚焦短弧氙灯。(无需背景校正)【是技术的提高呢?还是华而不实的噱头?】
背景技术是一种针对样品的技术,与光源没有任何关联。
此仪器可能嵌入了连续光源(即类似于通常的D灯)扣背景技术。
光路 :高光通量单光束/双光束自动切换
光栅:另有54x54mm高分辨率的中阶梯光栅
双闪耀波长:另有250nm和490nm
背景校正:氘灯背景校,自吸背景校正
石墨炉温度:室温~3000℃,可实现低温原子化。
石墨炉加热:横向加热石墨炉技术 【还有其他加热方式吗?他们之间有什么不同吗?】
还有纵向加热。只是很无聊的差别。对真实加热影响很小。
横向加热是在纵向磁场时的无奈选择,并没有优越性。影响加热的最根本还是石墨管。