主题:【已应助】ICP-MS双电荷离子如何控制

浏览0 回复7 电梯直达
阶前尘
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上一次做了一批基体很复杂样,这次要做水样,所以决定清洗一下锥和矩管,打磨一下透镜系统,然后吹干装上,点火,调谐,发现其他都还好,就是双电荷百分比居高不下。我尝试调了采样深度,偏转电压,还是不行啊,战友们这什么情况啊?
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nps
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古道西风瘦马
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双荷百分比,主要的影响因素是在plasma部分。尝试下功率,矩管位置吧。
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金水楼台先得月
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timstoicpms
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RF功率太高、采样深度太小(即炬管 距离 样品锥很近),都会导致双电荷率飙升。

我的实践经验:RF=1300-1350W,采样深度=5.0-5.5 mm。
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阶前尘
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原文由 timstoICPMS(timstoICPMS) 发表:
RF功率太高、采样深度太小(即炬管 距离 样品锥很近),都会导致双电荷率飙升。

我的实践经验:RF=1300-1350W,采样深度=5.0-5.5 mm。


不同厂家的仪器参数也不一样的
timstoicpms
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原文由 阶前尘(jieqian1211) 发表:
不同厂家的仪器参数也不一样的


我也是7700x 。安捷伦工厂默认使用屏蔽圈,如果采样深度太近,屏蔽圈悲剧的概率就越大。所以工厂推荐采样深度=8mm,并提高RF功率来补偿“因采样深度较大而带来的灵敏度下降”。
xue1bo
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呵呵RF功率,等离子体流速,雾化器流速可以控制双电荷与氧化物。
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2011/8/29 13:49:51 Last edit by jieqian1211
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