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主题：Sn-Bi/Cu interface 样品制备

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Ehrenfest
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发表于：2006/04/20 13:56:00 楼主 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
共晶Sn-Bi属于低温材料，熔点在137度，以Cu为基体焊接后经热处理界面上会生长出两层化合物Cu3Sn和Cu6Sn5。最开始的时候我是用这个材料直接按正常的程序去制备透射样品，但减薄用液氮冷却低温减薄，但结果不是很理想，因为共晶Sn-Bi和界面处的Cu3Sn、Cu6Sn5以及Cu熔点温度梯度太大，减薄的时候在共晶Sn-Bi区很快就形成一个大洞，小角度扩的话基本没有薄区。后来想办法把共晶Sn-Bi腐蚀掉，然后再在化合物上电镀上一层Cr和Cu,这样减出来薄区道是有了，但基本都不在我想要看的IMC上。想请问高手这样的样品有什么好的方法去做？？谢谢谢谢！！！！！
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shxie
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2006/4/20 17:49:00 沙发 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
没有做过块样，问一下：如果低角度做了多长时间还没有薄区？会不会时间长一点会好些。
Bi的化合物多为低熔点物质，既然液氮冷冻都不行，看来的确比较困难。
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Ehrenfest
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2006/4/30 15:17:00 板凳 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
我想问题的关键不在于减薄多长时间有薄区，而是在我所说的系统中，界面处会出现好几层化合物，它们的减薄速率不一样。我现在正在尝试把 Sn-Bi腐蚀掉，只留基体Cu和界面出的化合物然后对粘，如果有好结果再告诉大家，也希望大家帮我出出点子，想想办法，这个样品实在做的我头痛了。
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gamexxp
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2006/5/5 13:09:00 马扎 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
搂主是用双喷法么
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Ehrenfest
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2006/5/18 21:35:00 地毯 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
不是，用的是离子减薄
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gamexxp
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2006/5/19 17:03:00 地板 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
建议用化学双喷试验一下
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Ehrenfest
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2006/5/23 16:15:00 6楼 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
界面化合物物性差别较大，而且不是单层。用双喷恐怕会比较困难。不过具体到我的这个样品制备，目前我采用一种方法。效果还算理想，提供给大家近供参考，以后谁遇到这样的样品可以尝试。样品相当与在Cu基体上生长出来的一层6-8微米厚的膜，所以可以把两层化合物膜对粘起来，然后再进行减薄，但存在的问题是样品不能磨到太薄，我一般到40微米左右就开始做dipping,然后减薄。

斑竹，我这个帖子基本可以结贴了，麻烦斑竹！
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