主题:【求助】用 ICP-MS 进行 CIGS薄膜组分测试问题

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hxing
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          大家好,群中有没有人做过 用 ICP-MS电感耦合等离子体质谱仪)测试 CIGS(铜铟镓硒太阳能电池)薄膜的组分。我想要做这方面的测试,我用10%的硝酸 溶解 CIGS 薄膜,但是CIGS薄膜好像不溶解, 只是呈片状 悬浮于溶液中。对于 用 ICP-MS电感耦合等离子体质谱仪)测试 CIGS薄膜的组分, 大家有没有什么建议,希望大家 踊跃发言!
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envirend
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1.首先直接片状溶解,估计不好消解——用专用工具将其研磨过筛(金属一般要过100目);
    2.既然是铜铟镓硒太阳能电池薄膜,估计要含硅,因此必须加氢氟酸。
    3.至于消解条件,如称样量 温度 时间 加试剂量等需要摸索。
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光哥
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1.首先直接片状溶解,估计不好消解——用专用工具将其研磨过筛(金属一般要过100目);
    2.既然是铜铟镓硒太阳能电池薄膜,估计要含硅,因此必须加氢氟酸。
    3.至于消解条件,如称样量 温度 时间 加试剂量等需要摸索。


嘿嘿,斑竹对这个不专业了。
PV类的一般都比较是高纯材料,不建议研磨的。无论用什么材料,研磨必污染。
坛子里比较多的是硅材料的,不过建议LZ您可以先了解以下CIGS的主成分,然后再有针对性地寻找对应成分的消解方式。
只是做薄膜分析,不涉及衬底的话,而如果衬底是硅材质的,HF还真不能加。

愚见,没做过CIGS类的东西,请指正。

版里做薄膜的似乎不多呢,持续关注下
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2012/7/20 16:10:53 Last edit by xsh1234567
光哥
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您的CIGS是否包含有前驱物呢??这个貌似有涉及铪、钽之类的东西,不太容易分析。
如果单纯分析前驱物的话,我记得agilent的网站里有一篇谈这个的。比较早之前的信息了,现在我也找不到那篇文章了。

以下都是网上搜集到的信息:
銅銦鎵硒(Cu(In,Ga)Se2,CIGS)在薄膜太陽能電池的發展中佔有極重要的地位,在Mo/CIGS/CdS/ZnO 電池結構中,使用銅鎵二硒(CuGaSe2)薄膜做為吸收層疊層覆蓋在CIGS上,而使得CuGaSe2 薄膜在電池效率的增進上,扮演重要的角色。
相关链接:http://www.airitilibrary.com/searchdetail.aspx?DocIDs=U0028-0206200912363500

看上去,如果是多层结构的话,可能单纯的一两种酸的组合是有可能溶解不掉的。
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2012/7/20 16:19:34 Last edit by xsh1234567
hxing
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    CIGS是 铜 铟 镓 硒 的缩写,它们做成四元化合物CuIn0.75Ga0.25Se2,一般是将这种薄膜做在 玻璃上 (为便于将制备成的薄膜 再切成小块,硅片上也可以做)。我已做过几次,都是将面积大概为1cm*1cm薄膜直接溶解在 50ml 10% 的硝酸中,并作加热、搅拌处理,薄膜都不溶解。如果是玻璃上的薄膜,在酸液里 会呈片状 悬浮于酸液里。是不是我用的酸液 浓度太低? 一般专用消解设备有哪些呢?在消解过程中,还需要注意哪些细节,请各位多多指教,在此一并谢过!
hxing
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1.首先直接片状溶解,估计不好消解——用专用工具将其研磨过筛(金属一般要过100目);
    2.既然是铜铟镓硒太阳能电池薄膜,估计要含硅,因此必须加氢氟酸。
    3.至于消解条件,如称样量 温度 时间 加试剂量等需要摸索。


嘿嘿,斑竹对这个不专业了。
PV类的一般都比较是高纯材料,不建议研磨的。无论用什么材料,研磨必污染。
坛子里比较多的是硅材料的,不过建议LZ您可以先了解以下CIGS的主成分,然后再有针对性地寻找对应成分的消解方式。
只是做薄膜分析,不涉及衬底的话,而如果衬底是硅材质的,HF还真不能加。

愚见,没做过CIGS类的东西,请指正。

版里做薄膜的似乎不多呢,持续关注下


谢谢哥们的提示;不过还有个不明白,硅材质的不能用氢氟酸消解--如何理解?
 CIGS是太阳能薄膜电池CuInxGa(1-x)Se2的简写,其具有稳定性好、抗辐照性能好、成本低、效率高等优点。CIGS薄膜太阳能电池,由Cu(铜)、In(铟)、Ga(镓)、Se(硒)四种元素构成最佳比例的黄铜矿结晶薄膜太阳能电。
PV:photovoltaic缩写,指利用太阳能发电,光伏行业。
http://baike.baidu.com/view/1081302.htm

    还有个疑惑:至于研磨污染的问题,关键取决于研磨的材质,比如土壤研磨我们用的是木制材料;如果不研磨如何保证样品的均匀性呢?同时不研磨,是不是也不容易消解呢?
光哥
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1.首先直接片状溶解,估计不好消解——用专用工具将其研磨过筛(金属一般要过100目);
    2.既然是铜铟镓硒太阳能电池薄膜,估计要含硅,因此必须加氢氟酸。
    3.至于消解条件,如称样量 温度 时间 加试剂量等需要摸索。


嘿嘿,斑竹对这个不专业了。
PV类的一般都比较是高纯材料,不建议研磨的。无论用什么材料,研磨必污染。
坛子里比较多的是硅材料的,不过建议LZ您可以先了解以下CIGS的主成分,然后再有针对性地寻找对应成分的消解方式。
只是做薄膜分析,不涉及衬底的话,而如果衬底是硅材质的,HF还真不能加。

愚见,没做过CIGS类的东西,请指正。

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谢谢哥们的提示;不过还有个不明白,硅材质的不能用氢氟酸消解--如何理解?
 CIGS是太阳能薄膜电池CuInxGa(1-x)Se2的简写,其具有稳定性好、抗辐照性能好、成本低、效率高等优点。CIGS薄膜太阳能电池,由Cu(铜)、In(铟)、Ga(镓)、Se(硒)四种元素构成最佳比例的黄铜矿结晶薄膜太阳能电。
PV:photovoltaic缩写,指利用太阳能发电,光伏行业。
http://baike.baidu.com/view/1081302.htm

呵呵,这个问题LZ已经说得很清楚了,需要分析的是CIGS薄膜,并不含硅。硅材质只是作为衬底。

    还有个疑惑:
至于研磨污染的问题,关键取决于研磨的材质,比如土壤研磨我们用的是木制材料;如果不研磨如何保证样品的均匀性呢?同时不研磨,是不是也不容易消解呢?


痕量和超痕量的半导体材料,无合适的研磨设备。至于不均匀性,我个人认为需要自行研究确定。
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hxing
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    我只是需要 知道 CIGS薄膜的组分比例,这个薄膜已经做到 玻璃(或者 硅)基底上了,这个也不好 研磨呀
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