主题:[求助]使用SEM看薄膜断面?

浏览0 回复19 电梯直达
feiliao
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该帖子已被shxie设置为精华;
在Si片上镀一层非晶碳膜(厚度为几十个nm,导电性能较差),用金刚石刀直接切割出试样,然后进行SEM观察,希望得到薄膜的厚度。

第一次去做时表面没有喷金,看到的断面效果也很差,很难清楚的看到薄膜与基体的分界面。

请问喷金(应该不能喷碳)以后能看到清楚的界面吗?我看别人论文里面的图都非常清楚,不知何故?

希望得到各位前辈的请教!
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cxlruzhou
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我觉得最好还是采用样品本身新鲜的断面,尽量不要喷金,否则会掩盖了

断面原有的结构信息。曾做过好多次看断面的薄膜样品,因导电性一般,我就

采用好的导电胶(如Ag导电胶等)把断面照出来的。

我以前做的经喷金处理后的样品-SEM断面 照片一个也用不上,图像不好,本来

看断面需要的放大倍数很大。
cxlruzhou
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你样品也够薄的,建议看TEM 吧

SEM 够吃力了吧,呵呵

请高手指点
feiliao
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"我就采用好的导电胶(如Ag导电胶等)把断面照出来的"

请问用导电胶具体怎么操作?

还有一个问题,如果不喷金的话,电子一打表面就产生一个小包,根本得不到清楚的截面照片。可以看给出的电镜图
cxlruzhou
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原文由 feiliao 发表:
"我就采用好的导电胶(如Ag导电胶等)把断面照出来的"

请问用导电胶具体怎么操作?

还有一个问题,如果不喷金的话,电子一打表面就产生一个小包,根本得不到清楚的截面照片。可以看给出的电镜图。



用好的导电胶(如Ag导电胶等)就是为了增加导电性,我采取多数部分全包裹

的办法,只漏出一小部分,并且在靠近Ag导电胶的地方拍照。另外,照SEM断面

的时候应该快点,我就是只取做调整的部分照片,若全扫整个屏幕照片的话,

电荷积累影响成像容易不清楚了。关键就是快速,找到好的地方赶紧抓拍,呵

呵,看你的操作了,好运!有时候一幅好的SEM照片需要照好几个样品,发表的

paper中,大多都是选取的最好看的图片吧。。。
cxlruzhou
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“还有一个问题,如果不喷金的话,电子一打表面就产生一个小包,根本得不到清楚的截面照片。可以看给出的电镜图。”

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没看到你sem照片,那个小包就是放电造成的吧

还是因为你制备的薄膜导电性不好吧

sunnysky
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用冷场发射电镜,选背散射像,即使不喷金的话也会得到比较好的效果.
cool_blood520
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我来说几点,你试一试看是否行得通.(我做过单晶硅上镀膜的实验)
1.样品制备:樣品不要用象你說的那樣用玻璃刀切開.因為單晶硅是有一定的紋理取向,你只需用一個尖銳的東西(如鑷孖)在硅表面邊緣處用力,就可以使硅自動裂開,這樣就可以得到比較平整,新鮮的截面.
2.將樣品用導電雙面膠固定好,然後在側面(在硅基底一側)小心地塗上導電膠(碳或銀)
3.然後將樣品,噴金處理,注意噴金時電流不宜過大(電流太大容易形成金島)
4.掃描電鏡最好選用15KV左右的加速電壓,小的束流.
按以上的方法,看到50K的倍率是沒有太大問題的.SEI可以做到
祝你好運,Try it,don't forget tell me the result!
ywh7738
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ustbedu
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原文由 cool_blood520 发表:
我来说几点,你试一试看是否行得通.(我做过单晶硅上镀膜的实验)
1.样品制备:樣品不要用象你說的那樣用玻璃刀切開.因為單晶硅是有一定的紋理取向,你只需用一個尖銳的東西(如鑷孖)在硅表面邊緣處用力,就可以使硅自動裂開,這樣就可以得到比較平整,新鮮的截面.
2.將樣品用導電雙面膠固定好,然後在側面(在硅基底一側)小心地塗上導電膠(碳或銀)
3.然後將樣品,噴金處理,注意噴金時電流不宜過大(電流太大容易形成金島)
4.掃描電鏡最好選用15KV左右的加速電壓,小的束流.
按以上的方法,看到50K的倍率是沒有太大問題的.SEI可以做到
祝你好運,Try it,don't forget tell me the result!


这样可以做cross-section?
feiliao
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我的断面图已经得到了。

将硅片掰断以后,找一个比较好的端口,喷金后进行观察。
当然要找到薄膜与硅片的结合面比较困难,薄膜太薄了(只有40nm),经过几个试样的观察,找到一个比较好的位置基本能确定为薄膜后,在原位再扫一个背散射电子图像(成分模式),将其与二次电子图像进行比较,根据两图像的差异基本就可确定薄膜及其厚度。

我大概前后做了将近5个小时,直到最后才找到准确的薄膜,开始的判断几乎全是错的。

谢谢大家的帮助。
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