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主题：【求助】SEM观察半导体SiC MOS的参数

浏览0 回复3 电梯直达
Ins_c4338b18
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发表于：2024/10/30 11:01:01 楼主 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
观察mos时一般SEM的参数是什么样的，电压多大，电流多大，能用大电压吗？需不需要表面镀Pt然后再观察
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2024/10/30 11:51:58 沙发 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
在SEM观察前，是否需要在SiC MOSFET的表面镀铂（Pt）取决于具体的观察目的和要求。镀铂可以改善样品的导电性，有助于提高SEM图像的质量。然而，如果样品本身具有良好的导电性，或者SEM观察的目的不是为了获得高分辨率的图像，那么可能不需要镀铂。
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2024/10/30 15:25:18 板凳 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
如果想上大电压，应该是需要镀导电层，导电性不好的样品直接观察更适合低电压低电流，这样荷电效应的影响会弱一些
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UNM
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2024/10/30 15:45:59 马扎 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
如果只是观察，可以选择5KV的二次电子探头观察即可。
如果是观察表面的一些脏污，需要加减电压去尝试哪种电压效果最好。
另外如果需要能谱分析，就需要高电压。
如果高电压放电比较厉害，就需要镀金等去分析。
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