原文由 hxing(hxing) 发表:
原文由 sept(sept) 发表:
你的结果和文献的结果是两个概念,不能互相比。
你做的是拉一条线看这个截面的元素变化情况,而文献的做法是测出该位置每个元素的含量,然后把数据输入origin之类的软件画出曲线来。
你从文献的图上看,从0.25-1.5微米之间,几个元素的变化程度并不大,变化主要在最初的0.25微米之前,和后面基体上。所以你考虑下你制样的过程中,磨的时候是不是把最前端磨掉了,或者出现倒角,也就是最前端较低,能谱没有采集到足够多的信号。
你好!谢谢回复,那个文献结果 和我的结果都是为了反映 截面元素 变化情况, 我认为 不同之处 在于 文献是 在截面上 拉一条线, 然后在线上 间隔打点得到 该点处的 元素含量,而我的是 测出整条线上的 元素变化。我有必要也按照文献 那样做
此时要注意空间分辨率,因为整体是250nm,那每一层或者每一个点都很近。而打到样品上后,因为会在样品深处存在梨形区,也就是有扩展。因此,你做结果的点很有可能是彼此覆盖的。而郁闷的是,你要做的In,Ga和Se属于重元素,如果激发k线系或L线系的话,仍然需要高的加速电压,即扩展不可抗啊。但是可以尽量降低电流值,需要采集时间长一点,那请在粘贴样品时注意,尽量牢固一点,不令其飘。