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主题：【求助】ICP-MS二次放电位置

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kenterfeng
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发表于：2014/06/12 16:21:11 楼主 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
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      请教各位老师，ICP-MS二次放电的位置是在等离子体与采样锥之间Or采样锥与截取锥之间的扩散区？

      另：二次放电的具体形成原理是什么？看了王小如、李冰、刘虎生等的书都没有很详细的说明，有的还前后矛盾。

有的说是：由ＲＦ线圈与等离子体间存在电容耦合，产生约几百伏的电势差，如果不能有效消除的话，将会导致等离子体与样品锥（是采样锥还是截取锥？）之间的放电现象（称为二次放电）。

有的说是：点炬之后等离子体会直接打到接口锥上，由于电子迁移的速度远远快于带正电荷的离子，导致采样锥、截取锥的电压会升高，与线圈之间会形成较高的电势差而产生二次放电。

如果二次放电在两锥之间，那屏蔽圈又怎样可以降低电势。都说降低电势，但具体怎样降低。
推荐答案：孩孩才不是书痴呢回复于2014/06/15
据我所知道的，二次放电主要是因为等离子体中有大量的电子，而屏蔽矩是接地的，可以将电子导出等离子体，防止电子在金属的样品锥积蓄造成电压升高，而正离子到达电压高的样品锥时，必然导致正离子和电压高的样品锥突破击穿电压导致二次放电。至于第一个问题，我觉得两个区域都存在吧。
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2014/6/15 14:26:31 沙发 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
据我所知道的，二次放电主要是因为等离子体中有大量的电子，而屏蔽矩是接地的，可以将电子导出等离子体，防止电子在金属的样品锥积蓄造成电压升高，而正离子到达电压高的样品锥时，必然导致正离子和电压高的样品锥突破击穿电压导致二次放电。至于第一个问题，我觉得两个区域都存在吧。
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