主题：【已应助】元素电离能与入射射频功率设置有啥关系吗？

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大家都知道，功率提高可能导致形成双电核，致使分子结果偏低。问题如上，比方说入射射频功率为1550W，对应多大电离能呢？或者说，能使多大电离能的元素电离呢？
谢谢大家啦

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大家都知道，功率提高可能导致形成双电核，致使分子结果偏低。问题如上，比方说入射射频功率为1550W，对应多大电离能呢？或者说，能使多大电离能的元素电离呢？
谢谢大家啦

元素的第一/第二电离能，是元素的自身属性（轨道外电子到无穷远 所需要的能量），与外界条件无关。

元素能否被 氩等离子体电离，取决于它的第一电离能是否低于 Ar第一电离能15.76 eV。

第一电离能低的元素，越容易电离，电离效率高；第一电离能高的元素（通常大于9eV；例如 Be P S Cl Zn As Se Br Cd Te I Hg），电离效率低；但可以通过优化等离子体条件（CeO/Ce 比值——等离子体是否稳健的指示标志 ），提高这部分元素的电离效率。

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电离能为元素的自身属性，等离子体能是否用于克服第一电离能使之产生电离？

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等离子体入射功率与与氩的电离能也没有关系，但是入射功率为多大时能使氩气足够电离呢？

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1550w 与载气流量、氩气的第一电离能有啥关系呢？ 比方说，在1600w时，氩气能否发生第二电离呢？

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电离能为元素的自身属性，等离子体能是否用于克服第一电离能使之产生电离？

是的。

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等离子体入射功率与与氩的电离能也没有关系，但是入射功率为多大时能使氩气足够电离呢？

600W也好，1600W也罢，都可以让氩气电离。600W是冷焰，极少量Ar被电离，此时形成的是基于NO+的等离子体。>1000W是热焰，但也只有 百万分之一 到 十万分之一的Ar被电离，此时形成的是基于 Ar+的等离子体 。射频功率的高低，会影响等离子体三维空间内的电子密度分布（有复杂公式描述），进而影响 Ar+ 的形成几率。

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1550w 与载气流量、氩气的第一电离能有啥关系呢？ 比方说，在1600w时，氩气能否发生第二电离呢？

我先举光电效应的几个现象
(1) 如果入射波长λ 大于某个临界值，无论入射光的强弱，或者照射时间的长短，都不会发生光电效应。
(2) 如果入射波长λ 小于某个临界值，即便入射光强度很微弱，电子也会在瞬间产生（不超过十的负九次方秒）。入射光强度越强，产生的电子越多。

对于现象(1)：用一束很强的红光（波长大，频率小）照射Zn板，照上一年半载，难道就照不出几个电子？爱因斯坦第一个成功解释了光电效应：W=h*v，h是普朗克常数。只要入射光能量(hv = h c/λ) 小于 Zn板自由电子逸出动能临界值，无论你照射多久时间，都不可能。

回到等离子体来，Ar第一电离能是15.76eV，第二电离能是27.63eV。你的问题可以转述为：难道用1600W，都烧不出几个 二次电离的Ar++ ？

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非常感谢老师的精彩解答，我还有个问题需要请教：如果说元素第一及第二电离能对应的波长（波粒二相性 公式获得频率，进而获得波长）为所谓的临界波长，那么何谓入射波长呢？是否为氩气第一电离能对应的波长呢？

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非常感谢老师的精彩解答，我还有个问题需要请教：如果说元素第一及第二电离能对应的波长（波粒二相性 公式获得频率，进而获得波长）为所谓的临界波长，那么何谓入射波长呢？是否为氩气第一电离能对应的波长呢？

我们在谈论 元素电离能，Ar的电离能，你怎么冒出个 德布罗意波长了？

我真感觉是在和“民科”对话。就此打住，不再回复你的任何帖子。