主题:【求助】求科普——Houk 老师关于多原子离子PAI干扰的研究

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envirend
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  如题,谢谢大家。
1 ICP在正常功率操作,除去高电位情况下,离解能比较低
      的离子,如ArO+及ArN+的丰度与原来ICP的相符。
              但它们在一些仪器里,特别是在高电位情况下,在提
      取过程中实际上已经破碎,而Ar2+却没有损失。
2  结合很紧的MO+的丰度,如CeO+和LaO+ 与在ICP时的一致,但ClO+却与稀土MO+不同,因此可以认为过量的ClO+
可能是在离子提取过程中形成的。

3  从水衍生的各种离子的数量,如H2O+,比OH+多得多。
4  NO+ 比原来的少(由质谱图看出),原因不明。
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这么高深的问题,期待高手来解答,估计要一定的物理化学知识!
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2015/3/31 16:29:28 Last edit by jieqian1211
阶前尘
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我还帮你置顶吧,我也很想了解这方面的知识
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2015/4/30 23:27:57 Last edit by jieqian1211
yukiyxy
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原文由 envirend(envirend) 发表:
  如题,谢谢大家。
1 ICP在正常功率操作,除去高电位情况下,离解能比较低
      的离子,如ArO+及ArN+的丰度与原来ICP的相符。
              但它们在一些仪器里,特别是在高电位情况下,在提
      取过程中实际上已经破碎,而Ar2+却没有损失。
2  结合很紧的MO+的丰度,如CeO+和LaO+ 与在ICP时的一致,但ClO+却与稀土MO+不同,因此可以认为过量的ClO+
可能是在离子提取过程中形成的。

3  从水衍生的各种离子的数量,如H2O+,比OH+多得多。
4  NO+ 比原来的少(由质谱图看出),原因不明。

楼主,我也想知道,不知道方不方便把原文贴上来,可以根据上下文进行判断。
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2015/5/30 22:26:37 Last edit by jieqian1211
化工小能手
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又又1990
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好高深的问题啊,老师您现在是否理解了呢?欢迎过来分享哦!
envirend
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原文由yukiyxy发表:


原文由 envirend(envirend) 发表:
  如题,谢谢大家。
1 ICP在正常功率操作,除去高电位情况下,离解能比较低
      的离子,如ArO+及ArN+的丰度与原来ICP的相符。
              但它们在一些仪器里,特别是在高电位情况下,在提
      取过程中实际上已经破碎,而Ar2+却没有损失。
2  结合很紧的MO+的丰度,如CeO+和LaO+ 与在ICP时的一致,但ClO+却与稀土MO+不同,因此可以认为过量的ClO+
可能是在离子提取过程中形成的。

3  从水衍生的各种离子的数量,如H2O+,比OH+多得多。
4  NO+ 比原来的少(由质谱图看出),原因不明。

楼主,我也想知道,不知道方不方便把原文贴上来,可以根据上下文进行判断。
某个培训资料上看到的,培训上说引自那个老师的论文。
网印
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多原子分子质谱的重叠造成的干扰问题,在等离子体中存在多余过量的氧化物,正的或者负的干扰,引入等离子体中还包括有H和OH,ICPMS可以检测到MO 、MH 、MOH ,要减少和水相关的多原子分子,气动雾化冷却雾化或者膜去溶剂这些手段都可以除水,就是Ar吹扫入口的地方加热氟聚合物膜再引入ICPMS。现在的ICPMS很多都是这种机构。
好久没搞ICPMS了,回得不好,多多包涵。
网印
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原文由 网印(ytnh984xyz) 发表:
多原子分子质谱的重叠造成的干扰问题,在等离子体中存在多余过量的氧化物,正的或者负的干扰,引入等离子体中还包括有H和OH,ICPMS可以检测到MO 、MH 、MOH ,要减少和水相关的多原子分子,气动雾化冷却雾化或者膜去溶剂这些手段都可以除水,就是Ar吹扫入口的地方加热氟聚合物膜再引入ICPMS。现在的ICPMS很多都是这种机构。
好久没搞ICPMS了,回得不好,多多包涵。
是MO+,MH+,MOH+,在这里没显示
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