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原文由 RENXIN 发表:原文由 redskinworm 发表:
二次电子有可能被吸收，成为吸收电子。但探头是靠逸出的二次电子成象的，跟吸收电子没关系。而跟二次电子的数量有关，二次电子的数量主要决定于样品的二次电子产出率，加速电压，倾斜角度等。
二次电子的产出深度在10NM一下，但穿透深度跟样品、加速电压等有关。这2个是不同的概念。
不知楼主满意不？
楼主满意否我不知道，但我很不满意，您讲的都错了。
二次电子的产率几乎不受加速电压的影响，这个很难让人相信，但是是事实。
样本的影响对二次电子的产率也很小，只有在轻元素区有一定的影响。
请您参考我以前的每周一问帖子，希望会有帮助。
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