主题:【活动】积分商城京东卡申领活动第二期(获奖结果已发布)

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光源本身是被测物,它发出的光投射到光电元件上,光电元件的输出反映了光源的某些物理参数.这种型式的光电传感器可用于光电比色高温计和照度计。
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这种传感器中光电元件接受的光通量随被测量连续变化,因此,输出的光电流也是连续变化的,并与被测量呈确定的函数关系,这类传感器通常有四种形式。
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2020/9/22 10:48:26 Last edit by wccd
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光电传感器的敏感范围远远超过了电感,电容,磁力,超声波传感器的敏感范围.此外,光电传感器的体积很小,而敏感范围很宽,加上机壳有很多样式,几乎可以到处使用.最后,随着技术的不断发展,光电传感器在价钱方面可以同用其他技术制造的传感器竞争。
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光电传感器通常由光源,光学通路和光电元件三部分组成,Ф1是光源发出的光信号,Ф2是光电器件接受的光信号,被测量可以是x1或者x2,它们能够分别造成光源本身或光学通路的变化,从而影响传感器输出的电信号I.光电传感器设计灵活,形式多样,在越来越多的领域内得到广泛的应用
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光电池的频率特性是指输出电流与入射光调制频率的关系。当入射光照度变化时,由于光生电子.空穴对的产生和复合都需要一定时间,因此入射光调制频率太高时,光电池输出电流的变化幅度将下降.硅光电池的频率特性较好,工作频率的上限约为数万赫兹,而硒光电池的频率特性较差.在调制频率较高的场合,应采用硅光电池,并选择面积较小的硅光电池和较小的负载电阻,进一步减小响应时间,改善频率特性。
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光电池的温度特性是指开路电压和短路电流随温度变化的情况.由于它关系到应用光电池的仪器设备的温度漂移,影响测量精度或控制精度等重要指标,因此温度特性是光电池的重要特性之一.硅光电池开路电压随温度上升而明显下降,温度上升1℃,开路电压约降低3mV.短路电流随温度上升却是缓慢增加的.因此,光电池作为检测元件时,应考虑温度漂移的影响,并采用相应的措施进行补偿。
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光电池在不同的光照度下,光生电动势和光电流是不相同的.硅光电池的光电特性是负载电阻无穷大时的开路电压特性曲线,曲线2是负载电阻相对于光电池内阻很小时的短路电流特性曲线.开路电压与光照度的关系是非线性的,而且在光照度为20001x时就趋于饱和,而短路电流在很大范围内与光照度成线性关系,负载电阻越小,这种线性关系越好,而且线性范围越宽.因此检测连续变化的光照度时,应当尽量减小负载电阻,使光电池在接近短路的状态工作,也就是把光电池作为电流源来使用.在光信号断续变化的场合,也可以把光电池作为电压源使用。
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在实际使用中应根据光源的性质来选择光电池,当然也可根据现有的光电池来选择光源,但是要注意光电池的光谱峰值位置不仅和制造光电池的材料有关,同时,也和制造工艺有关,而且随着使用温度的不同会有所移动。
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光电池对不同波长的光,灵敏度是不同的.硅光电池和硒光电池的光谱特性曲线.不同材料的光电池适用的入射光波长范围也不相同.硅光电池的适用范围宽,对应的入射光波长可在0.45~1.1之间,而硒光电池只能在0.34~0.57波长范围,它适用于可见光检测。
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硅光电池的工作原理基于光生伏特效应,它是在一块N型硅片上用扩散的方法掺人一些P型杂质而形成的一个大面积PN结.当光照射P区表面时,若光子能量大于硅的禁带宽度,则在P型区内每吸收一个光子便产生一个电子.空穴对,P区表面吸收的光子最多,激发的电子空穴最多,越向内部越少.这种浓度差便形成从表面向体内扩散的自然趋势.由于PN结内电场的方向是由N区指向P区的,它使扩散到PN结附近的电子—空穴对分离,光生电子被推向N区,光生空穴被留在P区.从而使N区带负电,P区带正电,形成光生电动势.若用导线连接P区和N区,电路中就有光电流流过。
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2020/9/22 10:44:24 Last edit by wccd
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