主题:【活动】积分商城京东卡申领活动第二期(获奖结果已发布)

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光电池是一种自发电式的光电元件,它受到光照时自身能产生一定方向的电动势,在不加电源的情况下,只要接通外电路,便有电流通过.光电池的种类很多,有硒,氧化亚铜,硫化铊,硫化镉,锗,硅,砷化镓光电池等,其中应用最广泛的是硅光电池,因为它有一系列优点,例如性能稳定,光谱范围宽,频率特性好,转换效率高,能耐高温辐射等.另外,由于硒光电池的光谱峰值位于人眼的视觉范围,所以很多分析仪器,测量仪表也常用到它。
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2020/9/22 11:49:44 Last edit by wccd
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光敏晶体管受调制光照射时,相对灵敏度与调制频率的关系称为频率特性.减少负载电阻能提高响应频率,但输出降低.一般来说,光敏三极管的频响比光敏二极管差得多,锗光敏三极管的频响比硅管小一个数量级。
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选用硅光敏管,这是因为硅管的暗电流要比锗管小几个数量级.同时还可以在电路中采取适当的温度补偿措施,或者将光信号进行调制,对输出的电信号采用交流放大,利用电路中隔直电容的作用,就可以隔断暗电流,消除温度的影响。
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温度的变化对光敏晶体管的亮电流影响较小,但是对暗电流的影响却十分显著,因此,光敏晶体管在高照度下工作时,由于亮电流比暗电流大得多,温度的影响相对来说比较小.但在低照度下工作时,因为亮电流较小,暗电流随温度变化就会严重影响输出信号的温度稳定性.
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外加偏置电压一定时,光敏晶体管的输出电流和光照度的关系.一般说来,光敏二极管光电特性的线性较好,而光敏三极管在照度小时,光电流随照度增加较小,并且在光照足够大时,输出电流有饱和现象.这是由于光敏三极管的电流放大倍数在小电流和大电流时都下降的缘故。
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光敏三极管在不同照度下的伏安特性,就象普通三极管在不同基极电流下的输出特性一样,改变光照就相当于改变一般三极管的基极电流,从而得到这样一簇曲线。
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不同材料的光敏晶体管,光谱峰值波长不同.硅管的峰值波长为0.9μm左右,锗管的峰值波长为1.5μm左右.由于锗管的暗电流比硅管大,因此锗管性能较差.因此在探测可见光或赤热物体时,多采用硅管.但对红外光进行探测时,采用锗管较为合适。
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当入射光波长增加时,相对灵敏度要下降,这是因为光子能量太小,不足以激发电子—空穴对.当人射光波长太短时,光波穿透能力下降,光子只在半导体表面附近激发电子—空穴对,却不能达到PN结,因此相对灵敏度也下降.
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在入射光照度一定时,光敏晶体管的相对灵敏度随光波波长的变化而变化,一种光敏晶体管只对一定波长范围的人射光敏感,这就是光敏晶体管的光谱特性。
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当光敏三极管的集电结反向偏置,发射结正向偏置.无光照时仅有很小的穿透电流流过,当光线通过透明窗口照射集电结时,和光敏二极管的情况相似,将使流过集电结的反向电流增大,这就造成基区中正电荷的空穴的积累,发射区中的多数载流子(电子)将大量注人基区,由于基区很薄,只有一小部分从发射区注入的电子与基区的空穴复合,而大部分电子将穿过基区流向与电源正极相接的集电极,形成集电极电流IC.这个过程与普通三极管的电流放大作用相似,它使集电极电流IC是原始光电流的(l β)倍.这样集电极电流IC将随入射光照度的改变而更加明显地变化。
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