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原文由 tem_abc 发表:
我有不同的看法：你的定量运算的ZAF模型不对。ZAF是典型的SEM定量分析的方法，假定电子束的作用空间（interaction volume）都在样品之内。对于TEM的薄样品，这种假设就不适用了。作用空间尚未展开，电子就已经穿过了样品。因此，你应该使用能谱定量运算的薄膜模型（thin film）。至于说为何Al的含量显得多，就可以很容易地理解了：样品越厚吸收修正就越多，导致Al的计算含量大幅度上升。
顺便问一句，你的结果是在那一层内收集到的？GaN与Al不相接，为何只可见较强的Ga和Al？附图是我对你的样品的理解，看看对不对。
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