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主题：【分享】趋肤深度-----------趋肤效应

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hjh821225
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发表于：2007/05/19 09:28:00 楼主 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
在 ICP 中  高频感应电流基于磁力线的作用而使电流在导体中分布是不均匀的,绝大部分电流流经导体的外圈,其趋肤深度就是电流值下降至其表面最大电流值的1/e(36.8%)时距表面层的距离.
  其趋肤深度S=1/根号PIfμδ
f-----高频电源的频率(Hz)  μ------磁导率(H/cm) 对气体μ=1
δ----气体电导率(S/cm)

由以上公式可以看出频率增高则趋附层变薄即环形电流中心孔径增大 ,因此较高的电源频率有利形成等离子体中心通道
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2011/2/15 20:28:58 沙发 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
嗯嗯，受教了！
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lee_lee
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2011/2/16 15:48:30 板凳 管理 分享 倒序浏览 只看楼主 回复 私聊
那么说趋肤效应是形成中心通道的一个重要原因
还有什么原因?? 切向方向的冷却气流... 还有什么???
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手机版： 【分享】趋肤深度-----------趋肤效应
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