主题:【求助】【原创】新型飞行时间-二次离子质谱仪(TOF-SIMS)简介

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xgq_2001
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鉴于广大网友渴望对tof-sims得了解,本人决定分享以下飞行时间二次离子质谱仪简介,本附件主要介绍PHI公司的最新产品,nano-tof得宣传册,但是绝非广告。
国内有tof-sims 仪器的几个院所:

沈阳金属所 新买了ion-tof得tof-sims仪器 TOF-SIMS V,已经开始运行了,负责人好像是:代老师
矿业大学    phi公司的 TRIFT I 友好多年历史了,负责人:梁老师
复旦大学  PHI 公司的, 负责人:李老师
天津飞斯卡尔,具体联系人不清楚
好像听过广东 还有一台PHI公司

我曾经接触过一些关于这面的资料,现在拿出来跟大家分享,希望大家有好的资料要一起分享。
该帖子作者被版主 tanggangfeng3积分, 2经验,加分理由:积极发帖,新的领域,等待大家开发
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tof-sims在同位素分析中应用:
1。可以获得所有元素的全部同位素,包括H元素在内的三个同位素均可以被检测
2。分析同位素,可以获得同位素的丰度比,完全符合自然界的分布规律
3。有些同位素在阴阳离子谱图中均可被检测到,但是其灵敏度不一样
4。对于没有同位素的元素,如 I, 有时候会很难判断它们的存在
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半导体生产:
在晶圆的制备过程中,由于生产流程长,工序繁多,不可避免的会遇到污染,那么该如何分析检测这些濡染物呢?如何评价清洗工序的清洗的效果呢?可以考虑采用飞行时间-二次离子质谱仪来检测。
样品制备:
飞行时间-二次离子质谱仪作为一种表面分析工具,对样品制备要求非常严格。样品分析的表面绝对不能接触任何包装物,尤其是防静电袋,双面胶等等,这些都会对样品进行污染,常见的污染特征峰,防静电剂:阴离子:311,325,339等,对于双面胶其常见的污染物峰为(硅氧烷):阳离子:28,43,73,143,281 等等,另外,样品也不能在空气或者办公室内放置过长时间,要不同样会测到大量污染物,而测不到污染物下面的成分,因为,其分析深度只有3~6nm。例如,在晶圆的表面上永远都可以测到大量的CH峰,其本质原因就是生产工艺或者空气中的CH化合物吸附在其表面。众所周知,其分析的检测限为ppm~ppb,相当高。所以,样品制备要极其严格。
数据处理:
一般上分析过程中要考虑,组合峰的出现,比如我们在分析单晶硅得时候,样品表面会不可避免地出现(正离子)14,27,28,45,等等一系列的峰,首先要学会辨认他们。比如28,它可能是Si28,也可能是c2h428,如何区分他们,这就需要经验。

欢迎大家分享自己的经验。
该帖子作者被版主 hendle2积分, 2经验,加分理由:好帖
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2010/6/10 19:37:33 Last edit by capinter
凡心点点
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xgq_2001
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原文由 凡心点点(alvinyang32) 发表:
好资料,学习下!大概多少价格啊

价格不了解,肯定很贵阿!!
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原文由 xgq_2001(xgq_2001) 发表:
原文由 凡心点点(alvinyang32) 发表:
好资料,学习下!大概多少价格啊

价格不了解,肯定很贵阿!!

不知道谁知道tof-sims一般价格阿??
wangh2009
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不知道我们学校什么时候能买一台的,看来是没有希望了。
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xgq_2001
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我们知道质谱分析最重要的部分就是解析图谱,如何解析二次离子质谱呢?好像很困难,因为目前关于二次离子质谱的数据并不多。本人综合总结了培训过程中所学一点经验给大家分享;
1。二次离子质谱分为两种,一种动态二次离子质谱(DSIMS),如CAMECA公司生产的IMS-xf系列,一种静态二次离子质谱(S-SIMS),如ULVAC-PHI公司生产的nano-TOF系列。动态和静态区分的标准时入射离子的计量,当>10^12ions/cm^2称为动态-SIMS,小于这个数值,称为S-SIMS.动态-SIMS主要用作半导体器件痕量元素的深度分析,以及矿物用同位素定年。要求样品导电性要好,静态-sims主要用于表面成分分析,如有机物,无机物分析,且可以分析分子碎片,并可以使其成像(2D,3D)。

2。全部同位素解析,根据同为个数,和自然界的丰度,半段谱峰对应的元素,同时也可以考虑一般谱峰都是带一个电荷的离子,通过查元素周期表就可以确认他们存在与否。
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