原文由 tonyan2000 发表:
应该说是对于能量色散X荧光光谱仪使用的半导体检测中硅漂移检测器使用的冷却方式,Si(Li)检测器需要将其冷却到-88摄氏度以后 检测器的背景信号才比较良好,其背景信号和温度的关系很大。液冷的效果是很好的,但是操作不方便,而且容易冻伤手。现在改进的帕尔贴制冷(电制冷)的SDD检测器也不错的。不清楚Si(Li)检测器现在的电制冷能做到什么地步,原先听热电人忽悠 感觉有点悬。而且热电的那款仪器定价偏高。
原文由 nameylf 发表:
液氮致冷和电子致冷都是针对探测器来说的,X光管的致冷一般的情况是:小功率时采用风冷就可以满足要求,大功率时一般采用油冷或水冷。
对于探测器的致冷来说,最主要的功能是降低半导体探测器和第一级场效应管的热噪声(也称为白噪声)。在较早时间,半导体探测器一般是采用Si(Li)半导体探测器,这种探测器只能用液氮来致冷;后来发展到更新的制造工艺,即Si-PIN型和SDD型,这两种探测器可以用液氮致冷,也可以用半导体致冷;也就是说,现在的半导体探测器的生产工艺(Si-PIN和SDD)能够保证在-40°C以下时,噪声水平就可以满足实际需要。液氮致冷的最大的问题是维护成本较高,因为液氮随时都在消耗中,不管你的仪器是否在使用;而且对于Si(Li)半导体探测器来说,一旦液氮没有了,对探测器的损害是无法逆转的,因此,维护风险较高。现在,半导体致冷技术已经非常成熟,并且已经得到广泛的应用。至于噪声水平的问题,半导体致冷的Si-PIN探测器和SDD探测器已经完全满足需要,没有必要在此问题做过多的追究。目前,日系的仪器大多都采用液氮致冷方式,欧美和国内的仪器大多采用半导体致冷方式,原因不得而知。但个人认为,无论从技术水平,还是从实际使用的效果来看,半导体致冷的探测器明显优于传统的液氮致冷方式。
另外,顺便纠正一下楼上的错误,液氮不是惰性气体,液氮指的是液化了的氮气。