主题:【讨论】标准加入法做标准曲线,分析数据的时候要不要扣除方法空白?

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风起云飘舞
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关于扣除方法空白的疑惑,我做的半导体的痕量分析。
1、如果以超纯水加标做标准曲线用标加法做的,将方法空白作为未知样品来做样,那么我待测样品如何去分析?在标准曲线的界面上选择减去方法空白吗?工程师说有些样品脏就减去,但是有些样品基体较干净就不需要减,减去后会出现小于零。因为怕空白被污染,但是减与不减的结果有差异的,我们做检测的不是要求数据要准确吗?
2、如果以方法空白加标做标准曲线也用标准加入法做,将方法空白作为曲线零点来做,那么我待测样品如何去分析?在标准曲线的界面上还是选择减去方法空白吗?工程师依然说有些样品脏就减去,但是有些样品基体较干净就不需要减,理由还是如上。
这样的两种说法,第一个的前半部分可以接受,可减去方法空白,但是后面的说法就不明白了。也有朋友说标准加入法不需要减去空白。哪位高手可以解说下吗?谢谢
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nps
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方法空白是为了消除操作、试剂等因素造成污染的干扰。使用标准加入法,空白和样品同样都是需要加入标准的,最终结果当然需要用样品测试值减去空白测试值。因为是超痕量分析,会出现样品中某些杂质含量比空白中杂质含量要稍低一些的情况,个人认为这是正常情况,不减空白就可以。
风起云飘舞
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原文由 nps 发表:
方法空白是为了消除操作、试剂等因素造成污染的干扰。使用标准加入法,空白和样品同样都是需要加入标准的,最终结果当然需要用样品测试值减去空白测试值。因为是超痕量分析,会出现样品中某些杂质含量比空白中杂质含量要稍低一些的情况,个人认为这是正常情况,不减空白就可以。

使用标准加入法,空白和样品同样都是需要加入标准的,最终结果当然需要用样品测试值减去空白测试值。不好意思这句我不明白。我目前做的是以超纯水的加标还有种是以方法空白加标的,待测样品没做加标。我看标准加入法的定义,是以待测样品加标做出来的曲线反向延长线的截距就是待测样的浓度。但是待测样的加标浓度第一点很重要,而我们浓度很难把握。所以没采用这种加标法。而是对水或者空白加标了。
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loki258
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其实我们标准加入法做出来的是空白+样品,是要扣除空白的,如果空白影响小的话就无所谓,对样品影响大的话一定要扣,否则算出来的浓度会偏高!我这几天也在用标准加入法做海水中的痕量元素,也做的不太好
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kiwi-kids
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原文由 loki258 发表:
其实我们标准加入法做出来的是空白+样品,是要扣除空白的,如果空白影响小的话就无所谓,对样品影响大的话一定要扣,否则算出来的浓度会偏高!我这几天也在用标准加入法做海水中的痕量元素,也做的不太好


标准加入法本身与外标法原理上没有差异
其实一般不是非常建议采用,原因就是工作量太大
标准加入法的测定结果肯定是正值,样品浓度中包含了仪器空白+过程空白+样品含量

如果有过程空白,那么首先需要扣掉过程空白,至于过程空白用标加还是普通外标法测定,可以视情况而定,理论上还是采用标准加入,这样得到的过程空白浓度=过程空白+仪器空白,样品浓度减去过程空白=实际样品含量了

但是有些样品仪器空白或者标准空白可以忽略不计,这时候就没有必要用标加来做了,或者做个加标回收QC一下就好了,因为此时外标和标准加入结果应该相差很小,当然采用标准加入的一大好处是从理论上完全校正了基体效应,当样品基体复杂内标难于选择时会大大改善结果。

现在用的最多的方法是采用样品加标作为外标法的曲线,用此线性分析多个样品。当然有些样品必须采用标准加入法,比如高纯水质分析等等。


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luckyfox
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楼主  你是做半导体中痕量杂质元素分析的,想必是要飞硅的~~那么你的测试溶液实际上杂质含量非常少,几乎相当于基体就是酸溶液。所以没有必要使用标准加入法。

  标准加入法的最大意义在于校正不同基体对于灵敏度的影响。

  比如拿高纯水配制的标准溶液,1ppb的B 有5000CPS;而在高基体的样品中,1ppb的B可能只有4000CPS,这时就会出现计算结果偏低的情况。需要用标准加入法。
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原文由 luckyfox 发表:
楼主  你是做半导体中痕量杂质元素分析的,想必是要飞硅的~~那么你的测试溶液实际上杂质含量非常少,几乎相当于基体就是酸溶液。所以没有必要使用标准加入法。

  标准加入法的最大意义在于校正不同基体对于灵敏度的影响。

  比如拿高纯水配制的标准溶液,1ppb的B 有5000CPS;而在高基体的样品中,1ppb的B可能只有4000CPS,这时就会出现计算结果偏低的情况。需要用标准加入法。

谢谢,慢慢消化后在请教,感觉有点通了,只是感觉分析结果不严密,貌似ICP-MS定性还行定量上不够严密似的,
yuduoling
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楼主  你是做半导体中痕量杂质元素分析的,想必是要飞硅的~~那么你的测试溶液实际上杂质含量非常少,几乎相当于基体就是酸溶液。所以没有必要使用标准加入法。

  标准加入法的最大意义在于校正不同基体对于灵敏度的影响。

  比如拿高纯水配制的标准溶液,1ppb的B 有5000CPS;而在高基体的样品中,1ppb的B可能只有4000CPS,这时就会出现计算结果偏低的情况。需要用标准加入法。

谢谢,慢慢消化后在请教,感觉有点通了,只是感觉分析结果不严密,貌似ICP-MS定性还行定量上不够严密似的,


同样的感受.
luckyfox
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楼主  你是做半导体中痕量杂质元素分析的,想必是要飞硅的~~那么你的测试溶液实际上杂质含量非常少,几乎相当于基体就是酸溶液。所以没有必要使用标准加入法。

  标准加入法的最大意义在于校正不同基体对于灵敏度的影响。

  比如拿高纯水配制的标准溶液,1ppb的B 有5000CPS;而在高基体的样品中,1ppb的B可能只有4000CPS,这时就会出现计算结果偏低的情况。需要用标准加入法。

谢谢,慢慢消化后在请教,感觉有点通了,只是感觉分析结果不严密,貌似ICP-MS定性还行定量上不够严密似的,


按照工程师的说法,样品浓度含量2ppb,上机测到6ppb,很好………………
风起云飘舞
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原文由 luckyfox 发表:
按照工程师的说法,样品浓度含量2ppb,上机测到6ppb,很好………………

大实话,不过我们没接受这么夸张的说法,呵呵不过因为痕量分析,对四周的条件要求非常高,所以能做出来重现比较好的数据,真是高高手啊
可珑
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原文由 luckyfox 发表:
楼主  你是做半导体中痕量杂质元素分析的,想必是要飞硅的~~那么你的测试溶液实际上杂质含量非常少,几乎相当于基体就是酸溶液。所以没有必要使用标准加入法。

  标准加入法的最大意义在于校正不同基体对于灵敏度的影响。

  比如拿高纯水配制的标准溶液,1ppb的B 有5000CPS;而在高基体的样品中,1ppb的B可能只有4000CPS,这时就会出现计算结果偏低的情况。需要用标准加入法。

谢谢,慢慢消化后在请教,感觉有点通了,只是感觉分析结果不严密,貌似ICP-MS定性还行定量上不够严密似的,


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