原文由 nps 发表:
方法空白是为了消除操作、试剂等因素造成污染的干扰。使用标准加入法,空白和样品同样都是需要加入标准的,最终结果当然需要用样品测试值减去空白测试值。因为是超痕量分析,会出现样品中某些杂质含量比空白中杂质含量要稍低一些的情况,个人认为这是正常情况,不减空白就可以。
原文由 loki258 发表:
其实我们标准加入法做出来的是空白+样品,是要扣除空白的,如果空白影响小的话就无所谓,对样品影响大的话一定要扣,否则算出来的浓度会偏高!我这几天也在用标准加入法做海水中的痕量元素,也做的不太好
原文由 zhckj 发表:原文由 luckyfox 发表:
楼主 你是做半导体中痕量杂质元素分析的,想必是要飞硅的~~那么你的测试溶液实际上杂质含量非常少,几乎相当于基体就是酸溶液。所以没有必要使用标准加入法。
标准加入法的最大意义在于校正不同基体对于灵敏度的影响。
比如拿高纯水配制的标准溶液,1ppb的B 有5000CPS;而在高基体的样品中,1ppb的B可能只有4000CPS,这时就会出现计算结果偏低的情况。需要用标准加入法。
谢谢,慢慢消化后在请教,感觉有点通了,只是感觉分析结果不严密,貌似ICP-MS定性还行定量上不够严密似的,
原文由 zhckj 发表:原文由 luckyfox 发表:
楼主 你是做半导体中痕量杂质元素分析的,想必是要飞硅的~~那么你的测试溶液实际上杂质含量非常少,几乎相当于基体就是酸溶液。所以没有必要使用标准加入法。
标准加入法的最大意义在于校正不同基体对于灵敏度的影响。
比如拿高纯水配制的标准溶液,1ppb的B 有5000CPS;而在高基体的样品中,1ppb的B可能只有4000CPS,这时就会出现计算结果偏低的情况。需要用标准加入法。
谢谢,慢慢消化后在请教,感觉有点通了,只是感觉分析结果不严密,貌似ICP-MS定性还行定量上不够严密似的,
原文由 zhckj 发表:原文由 luckyfox 发表:
楼主 你是做半导体中痕量杂质元素分析的,想必是要飞硅的~~那么你的测试溶液实际上杂质含量非常少,几乎相当于基体就是酸溶液。所以没有必要使用标准加入法。
标准加入法的最大意义在于校正不同基体对于灵敏度的影响。
比如拿高纯水配制的标准溶液,1ppb的B 有5000CPS;而在高基体的样品中,1ppb的B可能只有4000CPS,这时就会出现计算结果偏低的情况。需要用标准加入法。
谢谢,慢慢消化后在请教,感觉有点通了,只是感觉分析结果不严密,貌似ICP-MS定性还行定量上不够严密似的,