主题:【讨论】氯硅烷中痕量磷杂质的ICP-MS分析讨论

浏览0 回复28 电梯直达
nps
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原文由 开心(Edwardyan) 发表:
原文由 popo(popo) 发表:
多赶几次,尽量去除Si基体。
冷焰下Ti是不电离,但是P在此模式下电离的比较少,灵敏度还是较低。

支持popo兄的观点。最好别用冷焰测定P。P本来就较难电离,冷焰的话离子化效率就更低了。


还是和样品中磷含量有关,含量太低了,用标准模式或者反应气模式检测限到不了那么低,冷焰可以显著降低检出限,但是受基体影响更明显,纠结啊。
kiwi-kids
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光哥
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貌似如果没意外的话,硅外延用三氯氢硅的杂质分析GB是通过了,P用冷焰

不过感觉这个标准好那么什么什么的~~。。。。
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2010/12/22 0:00:07 Last edit by xsh1234567
zhangjing770880
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liaoxiaozi
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GC-MS测试一下试试  理论上实现比较容易 正在做氢气中磷的测定有兴趣可以联系  光谱可以做到2ppb  石墨炉原吸应该是最好的选择低干扰高灵敏度
zxm1987322
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光哥
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原文由 zxm1987322(zxm1987322) 发表:
楼主还在这个行业吗?
帮回复下:早就不在了
nps
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原文由 光哥(xsh1234567) 发表:
帮回复下:早就不在了
,是的,不在多晶硅行业了,现在是第三方检测...
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